RFHICと LIGネックスワンは大量生産公正を含む 0.5 μm GaN/Diamond HEMT 技術を開発して, 4インチWaferを製造して試演しました.
GaN/Diamond Waferの厚さと平坦も均一性が大きく改善して生産収率が向上したし, レーザードリルリング技術を最適化することで製造技術の最後の障害物だった TSV(Through Substrate Via) 公正を成功的に試演しました.
製作された HEMTはドレーン電圧(Vds) 90Vまで安定的に作動したし, 100Vからは電流崩壊現象が発生しました.
EMMI 測定結果, シリコーンチッ化物(SiN) ペシベイション(Passivation) 階と窒化ガリウム(GaN) 階の間で表面漏洩電流が発生したことで確認されました. 今後の次世代 GaN/Diamond HEMT Wafer公正では追加ペシベイション階を適用して表面漏洩電流を最小化することで效率を進めることができます.
出処 : A Trapping Behavior of GaN on Diamond HEMTs for Next Generation 5G Base Station and SSPA Radar Application(International Journal of Internet, Broadcasting and Communication, 2020.06)
RFHIC와 LIG넥스원은 대량생산 공정을 포함하는 0.5 µm GaN/Diamond HEMT 기술을 개발하고, 4인치 웨이퍼를 제조하여 시연하였습니다.
GaN/Diamond 웨이퍼의 두께와 평탄도 균일성이 크게 개선되어 생산 수율이 향상되었으며, 레이저 드릴링 기술을 최적화함으로써 제조 기술의 마지막 장애물이었던 TSV(Through Substrate Via) 공정을 성공적으로 시연하였습니다.
제작된 HEMT는 드레인 전압(Vds) 90V까지 안정적으로 작동하였으며, 100V부터는 전류 붕괴 현상이 발생하였습니다.
EMMI 측정 결과, 실리콘 질화물(SiN) 패시베이션(Passivation) 층과 질화갈륨(GaN) 층의 사이에서 표면 누설전류가 발생한 것으로 확인되었습니다. 향후 차세대 GaN/Diamond HEMT 웨이퍼 공정에서는 추가 패시베이션 층을 적용하여 표면 누설 전류를 최소화함으로써 효율을 향상시킬 수 있습니다.
출처 : A Trapping Behavior of GaN on Diamond HEMTs for Next Generation 5G Base Station and SSPA Radar Application(International Journal of Internet, Broadcasting and Communication, 2020.06)