한국, 산들 잘난듯 한 말을 했는데 결국 최신의 반도체를 만들기 위해서 일본의 제조 설비를 도입한다
삼성 전자, 제10세대의 NAND형 플래쉬 메모리의 양산에 일본의 에칭 장치를 신규 도입
삼성 전자가 400단대의 제10세대 NAND형 플래쉬 메모리의 양산에, 일본의 토쿄 일렉트론의 극저온 에칭 장비의 도입을 계획하고 있는 것을 알았다.삼성 전자는, 전생대의 제8세대(236단)와 제9세대(286단)의 NAND형 플래쉬 메모리의 첨단 극저온 에칭 공정에서는 미국·램 리서치사의 장비만을 사용해 왔다.NAND형 플래쉬 메모리 1위의 삼성 전자의 극저온 에칭 장비의 서플라이 체인(supply-chain)에 토쿄 일렉트론이 신규 참가하게 되기 위해, 램 리서치사의 독주 체제에 균열이 생기는 것으로 보여진다.
24일, 업계에 의하면, 금년 삼성 전자는 제10세대의 플래쉬 메모리의 양산의 준비를 끝낼 계획이라고 한다.이 과정에서 삼성 전자는, 토쿄 일렉트론의 극저온 에칭 장비를 신규 도입할 방침인 것을 알았다.삼성 전자의 관계자는 「 제8세대와 제9세대는 램 리서치사의 저온·극저온 에칭 장비를 활용해 왔지만, 제10세대부터는 토쿄 일렉트론의 장비도 활용할 계획」이라고 말했다.
에칭은 반도체 wafer에 회로를 새긴 후, 불필요한 물질을 제거하는 공정으로, NAND형 플래쉬 메모리를 제조하는데 있어서 중요한 기술의 하나다.
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韓国、散々偉そうなことを言っていたのに結局最新の半導体を作るために日本の製造設備を導入する
サムスン電子、第10世代のNAND型フラッシュメモリの量産に日本のエッチング装置を新規導入
サムスン電子が400段台の第10世代NAND型フラッシュメモリの量産に、日本の東京エレクトロンの極低温エッチング装備の導入を計画していることが分かった。サムスン電子は、前世代の第8世代（236段）と第9世代（286段）のNAND型フラッシュメモリの先端極低温エッチング工程ではアメリカ・ラムリサーチ社の装備だけを使用してきた。NAND型フラッシュメモリ1位のサムスン電子の極低温エッチング装備のサプライチェーンに東京エレクトロンが新規参入することになるため、ラムリサーチ社の独走体制に亀裂が生じるものとみられる。
24日、業界によると、今年サムスン電子は第10世代のフラッシュメモリの量産の準備を終える計画だという。この過程でサムスン電子は、東京エレクトロンの極低温エッチング装備を新規導入する方針であることが分かった。サムスン電子の関係者は「第8世代と第9世代はラムリサーチ社の低温・極低温エッチング装備を活用してきたが、第10世代からは東京エレクトロンの装備も活用する計画」と述べた。
エッチングは半導体ウェハーに回路を刻んだ後、不要な物質を除去する工程のことで、NAND型フラッシュメモリを製造する上で重要な技術の一つだ。
（中略）
サムスン電子は、第10世代NANDの量産からラムリサーチ社への依存度を下げることで、コストの削減や先端装備のサプライチェーンの安定化を図るものと見られる。半導体ディスプレイ技術学会のカン・ソンチョル研究委員は「メモリー半導体企業の立場では、特定の装備企業への依存度が過度に高くなることは負担になるしかない」とし、「東京エレクトロンが必要な技術力さえ備えれば、コストの削減だけでなくサプライチェーンの安定化の側面でも役に立つだろう」と述べた。
（後略）
