중국의 경합회사에 삼성 전자와 그 협력 회사의 반도체 국가 핵심 기술을 건네주어 한국의 반도체 업계에 수조원의 손해를 미친 삼성 전자 전 부장이 1심으로 징역 7년과 벌금 2억원( 약 2100만엔)이 선고되어 법정 구속되었다.단일 기술 유출 사건에서는 과거 최대의 양형이다.
서울 중앙 지방 법원은 19일, 산업기술 보호법과 부정경쟁 방지법 위반등에서 기소된 전 부장외 ,함께 법정 구속된 반도체 증착 장비 회사 전 사원 2명에게도 징역 2년 6월과 징역 1년 6월을 선고했다.
재판소는 그들이 반도체 증착 장비 회사를 포함한 피해 기업 3사의 기술 자료를 꺼내 스스로가 설립한 중국의 반도체 회사에서 ALD(원자층 증착) 방식의 증착 공정이 가능한 용광로(열처리) 장비를 설계·제작한 용의의 대부분을 유죄라고 판단했다.
재판소는 「한국의 국가 산업 경쟁력에 큰 악영향을 주는 우려가 있는 중대 범죄」라고 지적했다.대법원(최고재판소) 양형 위원회는 작년 3월에 국가 핵심 기술의 국외 유출 범죄의 양형 기준을 최대 징역 18년으로 늘리는 등 기술 유출 범죄의 엄벌 기조를 계속하고 있다.
中国の競合会社にサムスン電子とその協力会社の半導体国家核心技術を渡し韓国の半導体業界に数兆ウォンの損害を及ぼしたサムスン電子元部長が１審で懲役７年と罰金２億ウォン（約２１００万円）を宣告され法廷拘束された。単一技術流出事件では過去最大の量刑だ。
ソウル中央地裁は１９日、産業技術保護法と不正競争防止法違反などで起訴された元部長のほか、ともに法廷拘束された半導体蒸着装備会社元社員２人にも懲役２年６月と懲役１年６月を宣告した。
裁判所は彼らが半導体蒸着装備会社を含む被害企業３社の技術資料を持ち出して自分たちが設立した中国の半導体会社でＡＬＤ（原子層蒸着）方式の蒸着工程が可能なファーネス（熱処理）装備を設計・製作した容疑の大部分を有罪と判断した。
元部長は２０１６年にサムスン電子から中国のＤＲＡＭメーカー長鑫存儲技術（ＣＸＭＴ）に転職した当時にサムスン電子の１８ナノＤＲＡＭ半導体工程情報など国家核心技術を流出させた容疑と、２０２２年に中国資本の投資を受けて中国に半導体装備会社を設立し、各工程分野の専門家を集めてそれぞれの会社から核心技術を持ち出すよう指示した容疑が認められた。
裁判所は「韓国の国家産業競争力に大きな悪影響を与える恐れのある重大犯罪」と指摘した。大法院（最高裁）量刑委員会は昨年３月に国家核心技術の国外流出犯罪の量刑基準を最大懲役１８年に増やすなど技術流出犯罪の厳罰基調を続けている。