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단독]삼성 전자, 파운드리 생산 라인이 「슛다운」…설비 투자도 보류

저조한 주문 물량에 지속하는 적자 「이중타카」히라사와
P2,P3파운드리 생산 라인 일부 슛다운
P4,P5파운드리 설비 투자도 잠정 중지

삼성 전자가 가동을 개시한 히라사와2라인 전경. DRAM(을)를 시작으로초미세 파운드리 제품도 생산할 예정이다.
삼성 전자가 가동을 개시한 히라사와2 라인 전경.DRAM를 시작으로초미세 파운드리 제품도 생산할 예정이다.

삼성 전자가 히라사와 캠퍼스의 파운드리(위탁 생산) 생산 라인의 일부 첨단 공정 설비를 완전히 지워 버리는 「슛다운」을 단행하고 있는 것이 파악되었다.TSMC를 따라 잡기 위해서 제조 시설을 먼저 지은 후, 주문을 받는 「세르파스트」전략이 과잉투자로 연결되었다고 하는 지적이 제기된다.건설을 추진중이었던 히라사와 캠퍼스P4,P5공장으로 예정되어 있던 파운드리의 발주도 보류 또는 삭제되었다고 한다.

27일, 반도체 업계에 의하면, 삼성 전자는 히라사와 캠퍼스P2,P3공장의 파운드리라인의 4 nm(나노미터·10억분의 1 m)와 5 nm, 7 nm의 생산 라인의 설비를 30%수준 슛다운 하고 있는 것이 파악되었다. .신규 라인으로 건설을 추진하고 있던P4,P5공장등의 장비 반입도 연기되어 사실상 추가 설비 투자도 중단되었다.

P3공장은 12만 8900(축구장 16개의 크기)에 이르는 반도체 생산 라인이다.해당DRAMNAND플래쉬 메모리, 파운드리 생산 라인이 구축되고 있다.삼성 전자는 2020년, 해당 라인에 합계 30조원 이상의 대규모 투자를 집행할 계획이라고 분명히 했다.P3P2라인보다 1.5배 정도 규모가 큰 생산 기지에서, 금년 초에 파운드리 설비의 셋업이 완료했다.

저조한 수주 물량과 지속하고 있는 적자 구조에 생산 라인 구축이 완료했음에도 불구하고, 코스트 삭감을 위해서 「슛다운」을 단행했다고 분석된다.작년, 삼슨파운드리는 2조원에 가까운 적자를 기록했다고 추산된다.반도체 업계 관계자는 「설비를 한 번 지우면 정상화하기까지 상당한 시간이 걸리기 위해, 주문 물량이 없어도 가동률을 내리는 정도」라고 해 「삼성 전자 파운드리 첨단 공정 라인으로 30%가깝게 설비를 완전히 지워 버리는 사례는 이번이 첫 같다」라고 했다.

삼성 전자의 무리한 파운드리 투자가 실책으로 연결되었다고 하는 비판이 제기된다.고객 회사의 확보 전략과 양산 공정의 안정화등이 불비한 상태로 무리하게 생산 능력을 확장해, 위기를 자발했다고 하는 것이다.삼성 전자는 작년 반도체 업무상황 부진에도 창립 이래 최대 규모의 약 54조원의 설비 투자를 단행했다.

캔·손쵸르 반도체 디스플레이 기술 학회 연구 위원은 「게이트-올-어라운드(GAA) 등 기술을 세계에서 처음으로 개발해, 자신을 가져 대대적인 투자를 단행했지만, 결국 쿠아르콤이나 애플 등 대형 고객 회사를 유치하지 않고 파운드리 사업이 위기에 직면한 상황 「TSMC와 격차를 좁히기 위한 투자는 피할 수 없는 선택이었지만, 이러한 상황이 계속 되기 위해, 지금까지의 과잉인 투자가 실책이었다고 하는 비판이 제기되는 것」이라고 했다.

이것에 대해서 삼성 전자 관계자는 「구체적인 장비 가동 상황은 공개할 수 없다」라고 대답했다.

サムスン電子 シャットダウン・中止・赤字 連発w

 

単独]サムスン電子、ファウンドリ生産ラインが「シャットダウン」…設備投資も保留

低調な注文物量に持続する赤字「二重高」平沢
P2P3ファウンドリ生産ライン一部シャットダウン
P4P5ファウンドリ設備投資も暫定中止

サムスン電子が稼働を開始した平沢2ライン全景。 DRAMを皮切りに超微細ファウンドリ製品も生産する予定だ。
サムスン電子が稼働を開始した平沢2ライン全景。 DRAMを皮切りに超微細ファウンドリ製品も生産する予定だ。

サムスン電子が平沢キャンパスのファウンドリ(委託生産)生産ラインの一部先端工程設備をまったく消してしまう「シャットダウン」を断行していることが把握された。 TSMCに追いつくために製造施設を先に建てた後、注文を受ける「セルファースト」戦略が過剰投資につながったという指摘が提起される。建設を推進中だった平沢キャンパスP4P5工場に予定されていたファウンドリの発注も保留または取り消されたという。

27日、半導体業界によると、サムスン電子は平沢キャンパスP2P3工場のファウンドリラインの4nm(ナノメートル・10億分の1m)と5nm、7nmの生産ラインの設備を30%水準シャットダウンしていることが把握された。 。新規ラインで建設を推進していたP4P5工場などの装備搬入も延期され、事実上追加設備投資も中断された。

P3工場は12万8900㎡(サッカー場16個の大きさ)に達する半導体生産ラインだ。該当DRAMNANDフラッシュメモリ、ファウンドリ生産ラインが構築されている。サムスン電子は2020年、該当ラインに計30兆ウォン以上の大規模投資を執行する計画だと明らかにした。 P3P2ラインより1.5倍ほど規模が大きい生産基地で、今年初めにファウンドリ設備のセットアップが完了した。

低調な受注物量と持続している赤字構造に生産ライン構築が完了したにもかかわらず、コスト削減のために「シャットダウン」を断行したと分析される。昨年、サムスンファウンドリは2兆ウォンに近い赤字を記録したと推算される。半導体業界関係者は「設備を一度消すと正常化するまでにかなりの時間がかかるため、注文物量がなくても稼働率を下げる程度」とし「サムスン電子ファウンドリ先端工程ラインで30%近く設備をまったく消してしまう事例は今回が初めてのようだ」とした。

サムスン電子の無理なファウンドリ投資が失策につながったという批判が提起される。顧客会社の確保戦略と量産工程の安定化などが不備な状態で無理に生産能力を拡張し、危機を自発したということだ。サムスン電子は昨年半導体業況不振にも創立以来最大規模の約54兆ウォンの設備投資を断行した。

カン・ソンチョル半導体ディスプレイ技術学会研究委員は「ゲート-オール-アラウンド(GAA)など技術を世界で初めて開発し、自信を持って大々的な投資を断行したが、結局クアルコムやアップルなど大型顧客会社を誘致せずファウンドリ事業が危機に瀕した状況「TSMCと格差を狭めるための投資は避けられない選択だったが、このような状況が続くため、これまでの過剰な投資が失策だったという批判が提起されること」とした。

これに対してサムスン電子関係者は「具体的な装備稼働状況は公開できない」と答えた。


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