시사/경제 PositiveNegativeFreeStyleArguments


.삼성전자가 차세대 메모리 반도체 시장에서 8단 실리콘관통전극(TSV) 기술을 처음 D램에 적용한 DDR5로 초격차를 이어간다. 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 공정과 극자외선(EUV) 기술이 적용되는 DDR5는 데이터센터 등에 활용될 것으로 보인다.

삼성전자는 최근 반도체 학회에서 8단 TSV 기술이 적용된 512GB(기가바이트) DDR5 메모리 기술을 공개하고, 내년 본격적인 양산에 들어간다고 밝혔다.


.삼성전자에 따르면 512GB DDR5는 최대 7200Mbps(초당메가비트)의 전송속도로, DDR4 대비 성능은 1.4배, 속도는 2.2배, 용량은 2배 향상됐으나, 소비전력은 8% 줄었다. 1초에 30GB 용량의 4K UHD(3840×2160) 영화 2편을 처리할 수 있다. 용량과 전송 속도 모두 업계 최고 수준이다.


.빠른 처리속도와 성능, 대용량 등으로 인공지능(AI)나 딥러닝처럼 빅데이터를 요구하는 기술이나 5세대 이동통신(5G)을 활용한 자율주행, 사물인터넷(IoT)과 같은 기술과 접목돼 확대될 것으로 여겨지고 있다. 이런 기술을 제대로 구현하려면 빠르고 효율적으로 대용량의 데이터를 처리할 수 있는 메모리가 필요한데 현재의 DDR4로는 어렵고, DDR5에서는 가능하다는 것이다.





차세대 메모리 DDR5 가격, “DDR4보다 30% 비싸다”


DDR5 D램 가격은 DDR4보다 30% 이상 높을 것으로 전망된다. 시장조사업체 트렌스포스는 “내년 DDR5가 기존 제품보다 30% 이상 비싼 가격으로 공급될 것이다”

.트렌스포스는 DDR5가 내년에는 주로 상용 PC에, 2023년부터는 소비자용 PC로 확산할 것으로 봤다. 또 다른 시장조사업체 옴디아는 DDR5 수요에 대해 내년 전체 D램 시장의 10%, 202443%로 확대될 것이라고 예상했다.



三星, チォギョックチァ DDR5 メモリー来年梁山


.三星電子が次世代メモリー半導体市場で 8段シリコーン貫通電極(TSV) 技術を初めて Dラムに適用した DDR5でチォギョックチァを引き続く. 10nm(ナノメートル・10億分の 1m)級公正と極子外線(EUV) 技術が適用される DDR5はデータセンターなどに活用されるように見える.

三星電子は最近半導体学会で 8段 TSV 技術が適用された 512GB(ギガバイト) DDR5 メモリー技術を公開して, 来年本格的な梁山に入ると明らかにした.


.三星電子によれば 512GB DDR5は最大 7200Mbps(秒当たりメガビート)の伝送速度で, DDR4 備え性能は 1.4お腹, 速度は 2.2お腹, 用量は 2倍向上したが, 消費全力は 8% 減った. 1秒に 30GB 用量の 4K UHD(3840×2160) 映画 2編を処理することができる. 用量と送信の中も皆業界最高水準だ.


.早い処理速度と性能, 大容量などで人工知能(AI)やディブロニングのようにビックデイトを要求する技術や 5世代移動通信(5G)を活用した自律走行, 事物インターネット(IoT)のような技術と接木されて拡がることで思われている. こんな技術をまともに具現しようとすれば早くて效率的に大容量のデータを処理することができるメモリーが必要なのに現在の DDR4では難しくて, DDR5では可能だというのだ.





次世代メモリー DDR5 価格, "DDR4より 30% 高い"


DDR5 Dラム価格は DDR4より 30% 以上高いことと見込まれる. 市場調査業社トレンスポスは “来年 DDR5が既存製品より 30% 以上高い価格に供給されるでしょう”

.トレンスポスは DDR5が来年には主に常用 PCに, 2023年からは消費自用 PCに拡散することで見た. また他の市場調査業社オムデ−アは DDR5 需要に対して来年全体 Dラム市場の 10%, 202443%で拡がると予想した.




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