삼성전자가 차세대 DDR5 메모리에서 8스택 TSV 모듈을 도입한다.
ComputerBase에 따르면 삼성전자는 Hot Chips 33 컨퍼런스에서 DDR5 고용량 메모리 구성을 위한 8-폴드 스택 칩 패키징에 대해 소개했는데, 업계 최초 7.2Gbps 512GB DDR5 모듈은 기존 DDR4 대비 성능은 1.4배, 속도는 2.2배, 용량은 2배 올라가면서 소비 전력은 0.92배로 줄였다.
기존 DDR4 메모리는 최대 4개의 다이를 쌓는 방식(4H TSV)으로 1.2mm 두께를 구현했으나, DDR5에서 적용된 8H TSV는 다이 사이의 간격이 40% 감소하고 더욱 얇은 웨이퍼 핸들링 기술을 통해 8개의 다이를 쌓고도 높이가 1mm에 불과하며 더 나은 냉각 기능을 제공하는 것으로 알려졌다.
三星電子が次世代 DDR5 メモリーで 8ステック TSV モジュールを取り入れる.
ComputerBaseによれば三星電子は Hot Chips 33 カンファレンスで DDR5 雇用量メモリー構成のための 8-フォルド ステックチップパッケージングに対して紹介したが, 業界最初 7.2Gbps 512GB DDR5 モジュールは既存 DDR4 備え性能は 1.4倍, 速度は 2.2倍, 用量は 2倍上がりながら消費全力は 0.92倍で減らした.
既存 DDR4 メモリーは最大 4個の多異を積む方式(4H TSV)で 1.2mm 厚さを具現したが, DDR5で適用された 8H TSVは多異の間の間隔が 40% 減少してもっと薄らWaferハンドリング技術を通じて 8個の多異を積んでからも高さが 1mmに 過ぎなくてより良い冷却機能を提供することと知られた.