SK하이닉스, 美 마이크론보다 반년 앞서 2세대 진입 ㄷㄷ
올해로 D램 개발 35주년을 맞은 한국 반도체 업계, 초격차 전략으로
세계 유일의 10나노급 D램 시대를 활짝 열었다.
SK하이닉스가 삼성전자에 이어 세계 2번째로 2세대 10나노급 D램 개발에 성공
세계 넘사벽 D램 양강 업체 삼성전자 - SK하이닉스의 위엄
1. 삼성전자 2017년 11월 세계최초 2세대 10나노급 D램 양산 들어감
2. SK하이닉스 2018년 2세대 10나노 개발성공 - 내년 1분기 양산 들어감
3. 세계 3위 미국 마이크론 - 현재 SK하이닉스에도 반년 뒤져
그야말로 압도적인 기술력 격차
이 와중에 삼성전자는 SK하이닉스보다도 1년 이상 앞서있음
삼성은 괴물수준
韓 Dラム 35年…三星であって SKハイニクス, 2世代 10ナノ時代開幕
SKハイニクス, 美 マイクロンより半年先立って 2世代進入
今年で Dラム開発 35周年を迎えた韓国半導体業界, チォギョックチァ戦略で
世界唯一の 10ナノ級 Dラム時代をぱっと開いた.
SKハイニクスが三星電子に引き続き世界 2番目に 2世代 10ナノ級 Dラム開発に成功
世界ノムサビョック Dラムヤングガング業社三星電子 - SKハイニクスの威厳
1. 三星電子 2017年 11月世界最初 2世代 10ナノ級 Dラム梁山入って行き
2. SKハイニクス 2018年 2世代 10ナノ開発成功 - 来年 1半期梁山入って行き
3. 世界 3位アメリカマイクロン - 現在 SKハイニクスにも半年立ち後れて
まさに圧倒的な技術力格差
が渦中に三星電子は SKハイニクスよりも 1年以上先に進んでいる
三星は化け物水準