東芝19nmNAND型フラッシュ量産中！
東芝、19nm プロセスで世界最大容量 3bit/セル NAND 型フラッシュメモリ
japan.internet.com 2月23日(木)18時1分配信
東芝は2012年2月23日、19nm プロセスで世界最大容量（同社調査）128Gbit（16GB）を実現した 3bit/セルの NAND 型フラッシュメモリを開発し、2月22日（現地時間）に米国で開催中の半導体国際学会「ISSCC」で、SanDisk と共同発表した。この製品は2月から量産出荷を開始している。
今回開発した NAND 型フラッシュメモリは、東芝独自の高速書込み回路方式と、セル間に空洞を形成し、セル同士の干渉を抑える技術、エアギャップ構造により、3bit/セル製品としては世界最速（同社調査）の 18MB/秒の書き込み速度を実現するとともに、128Gbit の NAND 型フラッシュメモリとしては世界最小（同社調査）の170平方ミリメートルのチップサイズになった。
東芝の高速回路書込み回路方式とは、メモリセルにデータを3段階で書き込む際、2段階目ですべてのビットを大まかに書き終え、3段階目で微修正だけを行い、書き込み済みのメモリセルに影響をおよぼす現象を約5％にする技術。また、メモリセル制御回路を片側に寄せて配置するなどの回路構成で、周辺回路群の配置面積を約20％減らすことに成功した。
http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20120223-00000014-inet-sci
NAND型フラッシュ
東芝19nm (2012年2月 量産中)
サムスン27nm(2011年1Q(1-3月)量産) 2010年4月は嘘
ハイニックス26nm 2010年8月は嘘で未だ出荷していない。
DRAM
エルピーダ25nm 4Gbit（2011年１２月より量産出荷予定）
エルピーダ25nm 2Gbit（2011年8月より出荷）
型番「EDJ2104BFSE」、「EDJ2108BFSE」
サムスン20nm級 2Gbit(2011年9月中に量産??)
エルピーダ30nm（2011年1月より出荷・5月量産）
サムスン35nm（量産中）25nmの196%の大きさ
ハイニクス38nm（量産中）25nmの231%の大きさ
LCD
シャープ第１０世代 量産中
サムスン第８世代 量産中（韓国経済新聞2011/08/30報道、8割減産予定）
サムスン電子、テレビ用液晶パネルを8割減産へ＝韓国紙
http://jp.reuters.com/article/businessNews/idJPJAPAN-22940120110830
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エルピーダ30nm（2011年1月より出荷・5月量産）
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