エルピーダ 25nm 4Gbit 12月から量産
最先端のチップはモバイル機器に積まれるのにサムスンの幻の20nm級は2Gbit。
エルピーダの実在する25nmは4Gbit。
軽薄短小が売りのモバイル機器にエルピーダなら1枚のチップで済む所を
サムスンだと2枚乗せるnika??
量産して実物が金を出せば買える状態なのに20nm級って何よ？
これらの諸説は後述するが最も微細化が進んだ説では25nmというのがある。
この記事でも同等と書いてあるね。
サムスンが本当に25nm 2Gbit品の量産を成功していたとしても2ヶ月後に
エルピーダが25nm 4Gbit品を出すのであればサムスンがミラクルを果たしたとしても製品開発競争に敗北することになる。
軽薄短小のモバイル機器に１枚載せるか２枚載せるかどちらが良いかは馬鹿でも分かる。
また、エルピーダの1枚のウエハーから採れる数が約45%改善は、30nmから25nmで計算が合う。
ちなみに今のサムスンは最新が35nm。
35nmから次に進めないとなると株価的にも終わりなので嘘でも出来たと言わなければならない。
開発 完了…¥"8月末梁山重み¥" 2011/5/3
http://mbn.mk.co.kr/pages/news/newsView.php?category=mbn00003&news_seq_no=1056709
8月末量産予定で30%以上保存性があがって今までの1.3倍保存できるとのこと。
ここから計算すると、35nmから29nmと言う事になる。
サムスン電子、世界初の20ナノ級DRAM量産 2011/9/22
http://www.chosunonline.com/news/20110922000006
こちらは40%以上向上とある。ウエハーから採れるチップが増えるとある。
同ラインではパソコン用DRAMやスマートフォンなどモバイル機器用のNAND型フラッシュメモリーを生産するそうな。
ここから計算すると、35nmから27nmと言う事になる。
サムスンが20ナノ級メモリーチップ量産を開始、ライバルに打撃か［ソウル ２２日 ロイター］ 2011/9/22
http://jp.reuters.com/article/companyNews/idJPJAPAN-23303820110922
製造コスト約50%改善でNAND型フラッシュを主として生産する。
フラッシュを作っていないエルピーダメモリーに打撃とか書いてあるがどういう事？
なんでフラッシュ？20nm級フラッシュ生産開始は昨年宣言してなかった？
ここから計算すると、35nmから25nmと言う事になる。
世界最初 20ナノ Dラム量産した三星電子, 日本と技術格差もっと開けて独走予告
/jp/exchange/theme/read.php?tname=exc_board_64&uid=6383&fid=6383&thread=1000000&idx=1&page=1&number=5591
「20ナノ級を量産して競争業社より 40%ほど安値に Dラム半導体を出市することができるようになった.」
ここから計算すると、エルピーダ30nmとの比較で23nmと言う事になる。
エルピーダ、４ギガビットのＤＲＡＭ開発 サムスンを一歩リード
2011.9.22 18:21
エルピーダメモリは２２日、パソコン向けなどの記憶用半導体「ＤＲＡＭ」で、回路線幅が最小クラスの２５ナノ（ナノは１０億分の１）メートルとしては世界初となる記憶容量４ギガ（ギガは１０億）ビットの製品開発に成功したと発表した。
微細化により、１枚のウエハーからとれるＤＲＡＭの数が従来品より約４５％増加。消費電力も動作時で２５～３０％、待機電力も３０～５０％低減した。１２月から量産を開始し、タブレット端末や次世代ノートパソコン向けに売り込む。
同社は回路線幅２５ナノメートル製品として、８月から２ギガビット品をサンプル出荷しており、さらに大容量の新製品でシェア拡大を狙う考えだ。
一方、ＤＲＡＭ世界首位の韓国サムスン電子も同日、９月中に２０ナノメートル級の２ギガビットＤＲＡＭの量産を開始すると発表した。ただ、回路線幅の具体的な数値は明らかにはしておらず、「線幅はエルピーダと同等」（業界関係者）との声もある。４ギガビット品の開発成功によって、エルピーダは最大のライバルに一歩先行したもようだ。
http://sankei.jp.msn.com/economy/news/110922/biz11092218230029-n1.htm
最先端のチップはモバイル機器に積まれるのにサムスンの幻の20nm級は2Gbit。
エルピーダの実在する25nmは4Gbit。
軽薄短小が売りのモバイル機器にエルピーダなら1枚のチップで済む所を
サムスンだと2枚乗せるnika??
量産して実物が金を出せば買える状態なのに20nm級って何よ？
これらの諸説は後述するが最も微細化が進んだ説では25nmというのがある。
この記事でも同等と書いてあるね。
サムスンが本当に25nm 2Gbit品の量産を成功していたとしても2ヶ月後に
エルピーダが25nm 4Gbit品を出すのであればサムスンがミラクルを果たしたとしても製品開発競争に敗北することになる。
軽薄短小のモバイル機器に１枚載せるか２枚載せるかどちらが良いかは馬鹿でも分かる。
また、エルピーダの1枚のウエハーから採れる数が約45%改善は、30nmから25nmで計算が合う。
ちなみに今のサムスンは最新が35nm。
35nmから次に進めないとなると株価的にも終わりなので嘘でも出来たと言わなければならない。
開発 完了…¥"8月末梁山重み¥" 2011/5/3
http://mbn.mk.co.kr/pages/news/newsView.php?category=mbn00003&news_seq_no=1056709
8月末量産予定で30%以上保存性があがって今までの1.3倍保存できるとのこと。
ここから計算すると、35nmから29nmと言う事になる。
サムスン電子、世界初の20ナノ級DRAM量産 2011/9/22
http://www.chosunonline.com/news/20110922000006
こちらは40%以上向上とある。ウエハーから採れるチップが増えるとある。
同ラインではパソコン用DRAMやスマートフォンなどモバイル機器用のNAND型フラッシュメモリーを生産するそうな。
ここから計算すると、35nmから27nmと言う事になる。
サムスンが20ナノ級メモリーチップ量産を開始、ライバルに打撃か［ソウル ２２日 ロイター］ 2011/9/22
http://jp.reuters.com/article/companyNews/idJPJAPAN-23303820110922
製造コスト約50%改善でNAND型フラッシュを主として生産する。
フラッシュを作っていないエルピーダメモリーに打撃とか書いてあるがどういう事？
なんでフラッシュ？20nm級フラッシュ生産開始は昨年宣言してなかった？
ここから計算すると、35nmから25nmと言う事になる。
世界最初 20ナノ Dラム量産した三星電子, 日本と技術格差もっと開けて独走予告
/jp/exchange/theme/read.php?tname=exc_board_64&uid=6383&fid=6383&thread=1000000&idx=1&page=1&number=5591
「20ナノ級を量産して競争業社より 40%ほど安値に Dラム半導体を出市することができるようになった.」
ここから計算すると、エルピーダ30nmとの比較で23nmと言う事になる。
2011/05/05 29nm
2011/09/22 27nm
2011/09/22 25nm
2011/09/26 23nm
凄いプロセス技術の進化ですね！
2011/09/22 27nm
2011/09/22 25nm
2011/09/26 23nm
凄いプロセス技術の進化ですね！
NAND型フラッシュ
東芝19nm (2011年3Q(7-9月)量産予定)
サムスン27nm(2011年1Q(1-3月)量産) 2010年4月は嘘
ハイニックス26nm 2010年8月は嘘で未だ出荷していない。
DRAM
エルピーダ25nm 4Gbit（2011年１２月より量産出荷予定）
エルピーダ25nm 2Gbit（2011年7月よりサンプル出荷）
サムスン20nm級 2Gbit(2011年9月中に量産??)
エルピーダ30nm（2011年1月より出荷・5月量産）
サムスン35nm（量産中）25nmの196%の大きさ
ハイニクス38nm（量産中）25nmの231%の大きさ
LCD
シャープ第１０世代 量産中
サムスン第８世代 量産中（韓国経済新聞2011/08/30報道、8割減産予定）
サムスン電子、テレビ用液晶パネルを8割減産へ＝韓国紙
http://jp.reuters.com/article/businessNews/idJPJAPAN-22940120110830
東芝19nm (2011年3Q(7-9月)量産予定)
サムスン27nm(2011年1Q(1-3月)量産) 2010年4月は嘘
ハイニックス26nm 2010年8月は嘘で未だ出荷していない。
DRAM
エルピーダ25nm 4Gbit（2011年１２月より量産出荷予定）
エルピーダ25nm 2Gbit（2011年7月よりサンプル出荷）
サムスン20nm級 2Gbit(2011年9月中に量産??)
エルピーダ30nm（2011年1月より出荷・5月量産）
サムスン35nm（量産中）25nmの196%の大きさ
ハイニクス38nm（量産中）25nmの231%の大きさ
LCD
シャープ第１０世代 量産中
サムスン第８世代 量産中（韓国経済新聞2011/08/30報道、8割減産予定）
サムスン電子、テレビ用液晶パネルを8割減産へ＝韓国紙
http://jp.reuters.com/article/businessNews/idJPJAPAN-22940120110830
Appleと喧嘩して、他者に製品力で負けて失った物リスト。
CPU=台湾のTSMC
DRAM=エルピーダ (最新25nm? or １つ前の30nm / 朝鮮は35nm)
NAND型フラッシュ=東芝 (19nm? / 朝鮮は27nm)
LCD=Appleがシャープの液晶工場に大規模投資
特許紛争での敗北によりドイツでの販売停止。
8月にはEU全域での販売停止の判決が出ている。
米・日・韓・独・蘭・豪など9カ国・１２裁判所で嫌韓流熱風！
一応、言っておくけどAppleは世界のFlashメモリーの半分を買っている極上の客ですよｗ
http://www.chosunonline.com/news/20110820000003
CPU=台湾のTSMC
DRAM=エルピーダ (最新25nm? or １つ前の30nm / 朝鮮は35nm)
NAND型フラッシュ=東芝 (19nm? / 朝鮮は27nm)
LCD=Appleがシャープの液晶工場に大規模投資
特許紛争での敗北によりドイツでの販売停止。
8月にはEU全域での販売停止の判決が出ている。
米・日・韓・独・蘭・豪など9カ国・１２裁判所で嫌韓流熱風！
一応、言っておくけどAppleは世界のFlashメモリーの半分を買っている極上の客ですよｗ
http://www.chosunonline.com/news/20110820000003