サムスン電子、20ナノ級Dラム第3四半期の量産...日に"判定勝ち"
[ア ジア経済朴記者]次世代工程である20ナノ級Dラムの競争でも、サムスン電子が日本企業よりも一歩リードを奪うものと見られる。日本のエルピーダの25ナ ノDラムが試作品発表の段階であるのに対し、サムスン電子の20ナノ級Dラムは、量産秒読みに入った。 10日、関連業界によると、サムスン電子は今年第3四半期中に20ナノ級Dラムの量産に入る予定です。当初、"年末の量産"から"年内に出来るだけ早い時 期"に戦略を修正して研究開発に拍車をかけた結果だ。現在、サムスン電子は20ナノ級Dラム開発の手順を量産直前の水準まで引き上げ、仕上げ作業を進めて いる。それに比べて、今月初めにエルピーダメモリが発表した25ナノ2ギガビット（Gb）DDR3 SDラムはサンプル段階でのテストなどのプロセスだけを4ヶ月余りが必要とされ、年内に量産するかどうかも不透明な状態だ。最近公開されたエルピーダの 25ナノのサンプル、製品写真を基準に見ると、サンプル製作後、半導体モジュール化、製品のテスト、フィードバック、顧客認証の過程を経た後、量産が行わ れる。現在、サムスン電子は、お客様の認証まで終えた状態だという。量産過程までの投資部門でも、サムスン電子が優位を占めている。微細プロセスの切り替 えをすると、既存の機器の補強や交換が必要で、量産までの大規模な投資が必要である。このため、サムスン電子は、プロセス移行のための投資を着実に続けて きた。半導体の業況低迷にもかかわらず、過去2四半期にも黒字を出し、資金事情も余裕がある。 エルピーダは昨年第4四半期（4〜6月）の赤字を含め、3四半期連続の赤字を記録し、財務状況があまり良い方ではない。先月、プロセス移行と債務返済のた めに実施した797億円規模の資金調達でも88％レベルを達成するのに終わった。装置の導入後も6ヶ月の間の安定化の期間も必要だ。 サムスン電子の20ナノ級工程の量産が可視化されることによって19年間守ってきた半導体の世界1位の地位を堅固に維持される見通しだ。20ナノ級製品 は、既存の30ナノ級よりも生産効率に優れており、競合他社よりも価格競争力で優位を占める効果がある。また、電力消耗や大きさなど、機能的な側面もオ ウォルヘ多様な製品群を効果的に適用することができる。サムスン電子関係者は"現在開発中の20ナノ級Dラムが最近発表されたエルピーダの製品に比べて開 発の過程で進んでいると見られる"とし" 20ナノ級の製品は、今月ネカジヌンはっきりしないが、来月中には量産に突入するだろう"と語った。
朴記者
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