뻥친 엘피다 “25나노급 7월 양산”한다더니 샘플조차 고객사에 전달안해
세계 3위의 메모리 반도체 업체인 일본 엘피다가 지난 5월 “7월부터 회로 선폭(간격)을 25나노미터(1나노미터는 10억분의 1미터)까지 줄인 D램 반도체를 세계 최초로 양산하겠다”고 호언장담했으나 결국 허세(虛勢)로 드러났다.
“19년 만의 한·일 반도체 기술 재역전”이라며 호들갑을 떨던 일본 언론도 잠잠해졌다. 일본은 1980년대 메모리 반도체 시장을 주도하다 1992년 삼성전자가 세계 최초로 64메가 D램을 개발한 이래 신기술 개발과 시장점유율에서 줄곧 한국에 뒤지고 있다.
◆25나노급 반도체 양산한다더니…침묵하는 엘피다
전자업계에 따르면 엘피다는 7월 마지막 날인 31일까지 25나노 공정을 적용한 D램 샘플(견본)을 고객사에 전달하지 못했다. 7월 말 현재까지 양산 계획에 관한 추가 발표도 하지 않았다. 신기술을 무기로 삼아 세계 1·2위인 삼성전자·하이닉스를 제치겠다던 구상도 물거품이 됐다.
이 회사는 지난 5월 보도자료와 홈페이지를 통해 “(25나노미터 D램을) 7월부터 양산하겠다”고 밝혔다. 당시 일본 언론들은 “한국 업체에 빼앗긴 반도체 주도권을 19년 만에 되찾는 계기가 될 것”이라며 흥분했었다.
업계에서는 엘피다가 연말까지 25나노급 제품을 양산하기 어려울 것이라는 회의적 시각이 지배적이다. 반도체 업체는 새로운 제품 개발에 성공하면 반드시 주요 고객사에 샘플을 보낸다. 제품에 사용했을 때 무리 없이 작동하는지 시험이 필요하기 때문이다. 고객사가 테스트 후 “OK” 사인을 보내면 비로소 본격적인 양산이 시작된다. 샘플 시험 기간은 보통 2~4개월이 걸린다.
이승우 신영증권 애널리스트는 “샘플 테스트 등 일정을 감안하면 엘피다가 연내 양산에 성공할지도 불투명하다”고 말했다. 외신들은 오히려 D램 가격 급락을 견디다 못한 엘피다가 일시적으로 20% 가량 감산에 나설 계획이라고 보도했다.
◆한·일 기술 격차 1년 유지될 듯
엘피다가 공식 발표한 양산 계획을 못 지킨 것은 이번이 처음이 아니다. 엘피다는 2009년과 지난해에도 각각 40나노미터 D램과 30나노미터 D램 양산 계획을 발표해놓고 일정을 맞추지 못했다. 특히 30나노미터 제품의 경우 발표 시점보다 1년이 지난 최근에야 양산에 들어간 것으로 알려졌다. 이 때문에 권오현 삼성전자 사장은 지난 5월 엘피다의 25나노 개발 발 표를 듣고도 “(사실인지) 좀더 두고 봐야 한다”고 언급했다.
엘피다는 삼성전자보다 1년가량 기술이 뒤처진다. 최근 엘피다를 방문한 김장열 미래에셋증권 애널리스트는 “6월부터 30나노미터 D램 양산을 확대하는 단계이며, 이마저도 8월 말~9월 초부터 본격화될 것”이라고 말했다. 삼성전자는 이미 작년 7월 30나노미터 D램 양산을 시작했다.
전자업계는 엘피다가 자금 조달을 위해 과장된 발표를 한 것으로 관측한다. 2분기 연속 적자를 낸 엘피다는 지난 12일 신공정 투자 명목으로 797억엔(약 1조원)의 자금조달 계획을 발표했다.
그러나 방심은 금물이라고 전문가들은 지적한다. 엘피다가 대규모 자금조달에 성공할 경우 국내 업체들도 “고난의 행군”이 이어질 가능성이 크다는 것이다. 전자업계 한 관계자는 “1조원에 달하는 금액을 끌어모으면 엘피다는 차입금을 갚기보다는 공격적으로 투자에 퍼부을 가능성이 크다”며 “반도체 업계의 공급 과잉이 쉽게 사라지지는 않을 것”이라고 예측했다.
☞D램
PC에 일반적으로 쓰이는 메모리반도체의 일종. 삼성전자, 하이닉스, 일본 엘피다가 시장점유율 1, 2, 3위를 차지하고 있다. 내부 회로의 선폭(간격)을 줄이면 생산 효율이 올라가기 때문에 각 업체마다 회로선폭을 줄이기 위한 기술 경쟁이 치열하다. 현재 30나노미터(1나노미터는 10억분의 1미터)급 제품까지 양산되고 있으며, 하반기 중 삼성전자, 하이닉스 등이 20나노미터급 제품을 양산할 예정이다.
“19년 만의 한·일 반도체 기술 재역전”이라며 호들갑을 떨던 일본 언론도 잠잠해졌다. 일본은 1980년대 메모리 반도체 시장을 주도하다 1992년 삼성전자가 세계 최초로 64메가 D램을 개발한 이래 신기술 개발과 시장점유율에서 줄곧 한국에 뒤지고 있다.
◆25나노급 반도체 양산한다더니…침묵하는 엘피다
이 회사는 지난 5월 보도자료와 홈페이지를 통해 “(25나노미터 D램을) 7월부터 양산하겠다”고 밝혔다. 당시 일본 언론들은 “한국 업체에 빼앗긴 반도체 주도권을 19년 만에 되찾는 계기가 될 것”이라며 흥분했었다.
업계에서는 엘피다가 연말까지 25나노급 제품을 양산하기 어려울 것이라는 회의적 시각이 지배적이다. 반도체 업체는 새로운 제품 개발에 성공하면 반드시 주요 고객사에 샘플을 보낸다. 제품에 사용했을 때 무리 없이 작동하는지 시험이 필요하기 때문이다. 고객사가 테스트 후 “OK” 사인을 보내면 비로소 본격적인 양산이 시작된다. 샘플 시험 기간은 보통 2~4개월이 걸린다.
이승우 신영증권 애널리스트는 “샘플 테스트 등 일정을 감안하면 엘피다가 연내 양산에 성공할지도 불투명하다”고 말했다. 외신들은 오히려 D램 가격 급락을 견디다 못한 엘피다가 일시적으로 20% 가량 감산에 나설 계획이라고 보도했다.
◆한·일 기술 격차 1년 유지될 듯
엘피다가 공식 발표한 양산 계획을 못 지킨 것은 이번이 처음이 아니다. 엘피다는 2009년과 지난해에도 각각 40나노미터 D램과 30나노미터 D램 양산 계획을 발표해놓고 일정을 맞추지 못했다. 특히 30나노미터 제품의 경우 발표 시점보다 1년이 지난 최근에야 양산에 들어간 것으로 알려졌다. 이 때문에 권오현 삼성전자 사장은 지난 5월 엘피다의 25나노 개발 발 표를 듣고도 “(사실인지) 좀더 두고 봐야 한다”고 언급했다.
엘피다는 삼성전자보다 1년가량 기술이 뒤처진다. 최근 엘피다를 방문한 김장열 미래에셋증권 애널리스트는 “6월부터 30나노미터 D램 양산을 확대하는 단계이며, 이마저도 8월 말~9월 초부터 본격화될 것”이라고 말했다. 삼성전자는 이미 작년 7월 30나노미터 D램 양산을 시작했다.
전자업계는 엘피다가 자금 조달을 위해 과장된 발표를 한 것으로 관측한다. 2분기 연속 적자를 낸 엘피다는 지난 12일 신공정 투자 명목으로 797억엔(약 1조원)의 자금조달 계획을 발표했다.
그러나 방심은 금물이라고 전문가들은 지적한다. 엘피다가 대규모 자금조달에 성공할 경우 국내 업체들도 “고난의 행군”이 이어질 가능성이 크다는 것이다. 전자업계 한 관계자는 “1조원에 달하는 금액을 끌어모으면 엘피다는 차입금을 갚기보다는 공격적으로 투자에 퍼부을 가능성이 크다”며 “반도체 업계의 공급 과잉이 쉽게 사라지지는 않을 것”이라고 예측했다.
☞D램
PC에 일반적으로 쓰이는 메모리반도체의 일종. 삼성전자, 하이닉스, 일본 엘피다가 시장점유율 1, 2, 3위를 차지하고 있다. 내부 회로의 선폭(간격)을 줄이면 생산 효율이 올라가기 때문에 각 업체마다 회로선폭을 줄이기 위한 기술 경쟁이 치열하다. 현재 30나노미터(1나노미터는 10억분의 1미터)급 제품까지 양산되고 있으며, 하반기 중 삼성전자, 하이닉스 등이 20나노미터급 제품을 양산할 예정이다.
嘘ついたLPだ 25ナノ級 7月量産するといったらサンプルさえ顧客社に伝達の中して 嘘ついたLPだ 25ナノ級 7月量産するといったらサンプルさえ顧客社に伝達の中して
嘘ついたLPだ 25ナノ級 7月量産するといったらサンプルさえ顧客社に伝達の中して
世界 3位のメモリー半導体業社である日本 LPだが去る 5月 7月から回路線幅(間隔)を 25ナノメートル(1ナノメートルは 10億分の 1メートル)まで減らした Dラム半導体を世界最初に量産すると広言したが結局見栄(虚勢)で現われた.
¥"19年ぶりの韓・日半導体技術再逆転¥"と言いながらホドルガブを落とした日本言論も静かになった. 日本は 1980年代メモリー半導体市場を周到だ 1992年三星電子が世界最初で 64メガ Dラムを開発した以来新技術開発とマーケットーシェアでずっと韓国に立ち後れている.
◆25ナノ級半導体量産するといったら…黙るLPだ
電子業界によればエルピダは 7月最後の捺印 31日まで 25ナノ公正を適用した Dラムサンプル(見本)を顧客社に伝達することができなかった. 7月末現在まで梁山計画に関する追加発表もしなかった. 新技術を武器にして世界 1・2位の三星電子・ハイニクスを追い抜くという構想図水の泡となった.
が会社は去る 5月報道資料とホームページを通じて (25ナノメートル Dラムを) 7月から量産すると明らかにした. 当時日本言論たちは韓国業社に奪われた半導体主導権を 19年ぶりに取り戻すきっかけになると興奮した.
業界ではLPに年末まで 25ナノ級製品を量産しにくいとの懐疑的視覚が支配的だ. 半導体業社は新しい製品開発に成功すれば必ず主要顧客社にサンプルを送る. 製品に使った時無理なく作動するのか試験が必要だからだ. 顧客社がテスト後 ¥"OK¥" サインを送れば初めて本格的な梁山が始まる. サンプル試験期間は普通 2‾4ヶ月がかかる.
イ・スンウ信栄証券アナリストはサンプルテストなど日程を勘案すればLPに年内梁山に成功するかも不透明だと言った. 外信たちはむしろ Dラム価格急落を耐えてできなかったLPに一時的に 20% ほど減算に出る計画だと報道した.
◆韓・日技術格差 1年維持されるよう
LPに公式発表した梁山計画が守る事ができなかったことは今度が初めではない. エルピダは 2009年と去年にもそれぞれ 40ナノメートル Dラムと 30ナノメートル Dラム梁山計画を発表しておいて日程を合わせることができなかった. 特に 30ナノメートル製品の場合発表時点より 1年が去る最近には梁山に入ったことと知られた. このために権五賢三星電子社長は去る 5月LP多義 25ナノ開発足切符を聞いてからも (事実なのか) もうちょっと時間をかけて見なければならないと言及した.
エルピダは三星電子より 1ニョンがリャング技術が劣る. 最近エルピダを訪問した金壮熱 ミレエセッ証券 アナリストは 6月から 30ナノメートル Dラム梁山を拡大する段階であり, これさえ 8月末‾9月初から本格化されると言った. 三星電子はもう去年 7月 30ナノメートル Dラム梁山を始めた.
電子業界はLPに資金調逹のために誇張された発表をしたことに観測する. 2分期連続赤字を出したエルピダは去る 12日新公正投資名目で 797億円(約 1兆ウォン)の資金調逹計画を発表した.
しかし油断は禁物だと専門家たちは指摘する. LPに大規模資金調逹に成功する場合国内企業等も ¥"苦難の行軍¥"がつながる可能性が大きいというのだ. 電子業界ある関係者は 1兆ウォンに達する金額を集めればエルピダは借入金を返すよりは攻撃的に投資に浴びせる可能性が大きいと半導体業界の供給過剰が易しく消えないと予測した.
〓Dラム
PCに一般的に使われるメモリー半導体の一種. 三星電子, ハイニクス, 日本LPにマーケットーシェア 1, 2, 3位を占めている. 内部回路の線幅(間隔)を減らせば生産效率が上がるから各業社ごとに回路線幅を減らすための技術競争が熾烈だ. 現在 30ナノメートル(1ナノメートルは 10億分の 1メートル)級製品まで生じているし, 下半期の中で三星電子, ハイニクスなどが 20ナノメートル級製品を量産する予定だ.
¥"19年ぶりの韓・日半導体技術再逆転¥"と言いながらホドルガブを落とした日本言論も静かになった. 日本は 1980年代メモリー半導体市場を周到だ 1992年三星電子が世界最初で 64メガ Dラムを開発した以来新技術開発とマーケットーシェアでずっと韓国に立ち後れている.
◆25ナノ級半導体量産するといったら…黙るLPだ
が会社は去る 5月報道資料とホームページを通じて (25ナノメートル Dラムを) 7月から量産すると明らかにした. 当時日本言論たちは韓国業社に奪われた半導体主導権を 19年ぶりに取り戻すきっかけになると興奮した.
業界ではLPに年末まで 25ナノ級製品を量産しにくいとの懐疑的視覚が支配的だ. 半導体業社は新しい製品開発に成功すれば必ず主要顧客社にサンプルを送る. 製品に使った時無理なく作動するのか試験が必要だからだ. 顧客社がテスト後 ¥"OK¥" サインを送れば初めて本格的な梁山が始まる. サンプル試験期間は普通 2‾4ヶ月がかかる.
イ・スンウ信栄証券アナリストはサンプルテストなど日程を勘案すればLPに年内梁山に成功するかも不透明だと言った. 外信たちはむしろ Dラム価格急落を耐えてできなかったLPに一時的に 20% ほど減算に出る計画だと報道した.
◆韓・日技術格差 1年維持されるよう
LPに公式発表した梁山計画が守る事ができなかったことは今度が初めではない. エルピダは 2009年と去年にもそれぞれ 40ナノメートル Dラムと 30ナノメートル Dラム梁山計画を発表しておいて日程を合わせることができなかった. 特に 30ナノメートル製品の場合発表時点より 1年が去る最近には梁山に入ったことと知られた. このために権五賢三星電子社長は去る 5月LP多義 25ナノ開発足切符を聞いてからも (事実なのか) もうちょっと時間をかけて見なければならないと言及した.
エルピダは三星電子より 1ニョンがリャング技術が劣る. 最近エルピダを訪問した金壮熱 ミレエセッ証券 アナリストは 6月から 30ナノメートル Dラム梁山を拡大する段階であり, これさえ 8月末‾9月初から本格化されると言った. 三星電子はもう去年 7月 30ナノメートル Dラム梁山を始めた.
電子業界はLPに資金調逹のために誇張された発表をしたことに観測する. 2分期連続赤字を出したエルピダは去る 12日新公正投資名目で 797億円(約 1兆ウォン)の資金調逹計画を発表した.
しかし油断は禁物だと専門家たちは指摘する. LPに大規模資金調逹に成功する場合国内企業等も ¥"苦難の行軍¥"がつながる可能性が大きいというのだ. 電子業界ある関係者は 1兆ウォンに達する金額を集めればエルピダは借入金を返すよりは攻撃的に投資に浴びせる可能性が大きいと半導体業界の供給過剰が易しく消えないと予測した.
〓Dラム
PCに一般的に使われるメモリー半導体の一種. 三星電子, ハイニクス, 日本LPにマーケットーシェア 1, 2, 3位を占めている. 内部回路の線幅(間隔)を減らせば生産效率が上がるから各業社ごとに回路線幅を減らすための技術競争が熾烈だ. 現在 30ナノメートル(1ナノメートルは 10億分の 1メートル)級製品まで生じているし, 下半期の中で三星電子, ハイニクスなどが 20ナノメートル級製品を量産する予定だ.