삼성電, 세계최초 40나노 D램 개발…3Q 양산개시

뉴시스 | 기사입력 2009.02.04 11:06

서울=뉴시스】

삼성전자는 4일 세계 최초로 40나노급(1나노 :10억분의 1㎙) 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다고 밝혔다.

삼성전자는 2005년 10월 역시 세계 최초로 60나노급 D램을 개발한 데 이어 2006년 9월 50나노급 D램, 올해 40나노급 D램 제품 개발에 성공하는 등 D램 기술을 선도해왔다.

D램반도체는 컴퓨터의 하드에 있는 데이터를 꺼내서 CPU(중앙처리장치)가 처리할 수 있도록 임시로 데이터를 저장하는 장소로 컴퓨터의 필수적인 부품이다.

특히 이번 40나노급 DDR2 제품은 D램 공급 업체 중 유일하게 작년 12월 인텔에 단품 채용 평가를 완료한데 이어 올해 1월 1기가바이트(GB) DDR2 SoDIMM(노트북등 소형 SET에 사용되는 메모리 모듈)까지 2종의 제품 채용 평가를 완료 했다.

삼성전자는 이번에 개발한 40나노급 1기가 DDR2 D램 개발 기술을 적용해, 40나노급 2기가 DDR3 제품을 올해 개발 완료하고 3분기에 양산도 개시할 예정이다. 이는 2006년 50나노급 제품을 개발한 후 지난해 양산까지 약 2년 정도 걸렸던 반면, 공정이 더 미세해지는 40나노급에서 신제품 양산 기간을 1년 이상 단축하는 것이다.

삼성전자는 40나노급 2기가비트 DDR3 D램이 지난해 9월 양산을 시작한 50나노 2기가비트(Gb) DDR3 D램에 비해 생산성을 약 60% 향상시킬 수 있어, 현재 50~60 나노급 D램을 양산하고 있는 D램 업체보다 제조 경쟁력의 격차를 1~2년 이상으로 벌릴 수 있을 것이라고 설명했다.

또한 40나노급 D램은 50나노급 D램 대비 칩 면적 축소로 생산성이 향상될 뿐만아니라, 저전력·저전압
특성을 더욱 강화할 수 있는 1.2V 동작이 가능하다. 이에 따라 기존 50나노급 1.5V D램 대비 약 30% 이상 소비전력 감소 효과까지 발휘할 수 있어, 40나노급 D램은 서버 등 고전력을 소비하는 응용처에서 더욱 유용하다.

삼성전자 관계자는 “40나노급 D램 시장을 선점함으로써 친환경 특성을 더욱 강화한 고부가가치 D램 시장을 창출하겠다”며 “향후 DDR4 등 초고속 스피드를 구현하는 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발해 업계 최고의 기술 리더십을 확보하고 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 계획”이라고 밝혔다.