삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용, 업계 최대용량인 4기가비트(Giga bit) DDR3 D램을 개발했다고 29일 밝혔다.

지난 2007년 세계 최초로 60나노 공정 2기가비트 DDR2 D램 개발로 본격적인 고용량 D램 시대 개막과 함께 지난해 9월 50나노 공정 2기가비트 DDR3 D램 최초 개발에 이어 또다시 5개월 만에 두 배 용량인 4기가비트 DDR3 D램 제품을 내놓은 것.

이로써 삼성전자는 업계에서 가장 많은 50나노 D램 제품군(DDR3 4Gb, 2Gb, 1Gb, 512Mb, DDR2 1Gb, 512Mb)을 확보하게 됐다.

이번에 삼성전자가 세계 최초로 개발한 4기가비트 DDR3 D램은 ▲서버용 16기가바이트(Giga Byte) RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module. 기존 서버 및 워크스테이션 용으로 주로 사용돼 온 D램 모듈) ▲워크스테이션과 데스크탑 PC용 8기가바이트(GB) UDIMM(Unbuffered DIMM. 데스크탑 PC용으로 주로 사용돼 온 D램 모듈) ▲노트북용 8기가바이트(GB) SODIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module. Notebook 등 소형 SET에 사용되는 메모리 모듈) 등 대용량 모듈 개발에 적용된다.

또, 패키지 적층 기술(DDP. Double Die Package)을 적용할 경우 32기가바이트(GB) 모듈 개발도 가능하다.

최근에는 서버 시스템 당 메모리 탑재 용량이 매 2년마다 약 2배로 증가하는 추세를 보이고 있는 상황에서 향후 고용량 메모리에 대한 수요도 증가할 것으로 기대되고 있다.

이와 함께 4기가비트 DDR3 D램은 50나노 공정 및 저전력 설계 기술을 적용, 1.35V에서 최대 1.6Gbps(초당 1천600메가비트)의 데이터 처리 속도를 구현함으로써 기존 DDR3 D램 1.5V 동작 대비 약20% 정도 성능이 향상됐다.

또한 공정과 제조 원가 측면 뿐만 아니라 전력 소비 측면에서 더 큰 강점을 발휘할 수 있어 최근 서버 업계를 중심으로 높아지고 있는 친환경 사양 요구에 맞춰 더욱 효과적인 저전력 메모리 솔루션 제공이 가능하다.

예를 들어 16기가바이트 D램 모듈을 제작할 경우, 1기가비트 D램은 단품 144개를 탑재하지만, 2기가비트 D램은 72개로 전력 소비를 40% 이상 절감할 수 있을 뿐만 아니라 4기가비트 D램의 경우는 36개로 제작이 가능해 2기가비트 D램 대비 40% 이상 전력 소비를 절감할 수 있다.

특히 이번에 개발된 4기가비트 DDR3는 1.35V에서 작동돼 1.5V DDR3 대비 추가로 전력 소비를 20% 이상 절감할 수 있다.

이에 따라 4기가비트 D램 탑재로 1기가비트 D램 대비 총 70% 까지 전력 소비를 줄일 수 있다는게 회사측의 설명이다.

아울러 데이터 센터(Data Center) 등 많은 서버를 설치하는 응용처의 경우, 저전력 메모리를 탑재하면 단순히 전기료를 줄이는 1차적인 효과뿐만 아니라, 열 방출 장비나 전력 공급 설비의 설치·유지·보수 비용 절감과 공간 절약 등 2차적인 경비 절감 효과도 볼 수 있게 된다.

이와 관련, 삼성전자는 지난 1992년에 세계 최초로 64메가비트 D램을 개발, D램 시장 정상에 오른 이래 256메가비트, 1기가, 2기가 D램 등 차세대 D램 제품을 잇따라 최초 개발하면서 D램 시장에서 기술 리더십을 지켜 왔으며, 4기가비트 DDR3 D램 개발로 다시 한번 메모리 시장에서의 우위를 보여 주는 쾌거를 달성했다는 평가다.

회사 관계자는 “전력 절감 효과는 서버에서 장착하는 메모리 용량이 커질수록 더욱 확대된다”면서 “고용량 메모리 시장의 확대에 따라 4기가비트 D램 수요는 더욱 증가할 것”이라고 기대감을 표했다.

그는 또 “향후 서버 시장에서 PC시장에 이르기까지 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발해 다양한 고객의 요구에 대응하고 프리미엄 메모리 시장을 지속적으로 창출하는 등 고부가가치 D램 매출을 확대해 경쟁 우위를 지속적으로 유지해 나갈 계획”이라고 강조했다.