信じていたメモリー半導体技術まで中国に追いつかれた。工程・量産で優位を守るだけで、基礎研究や設計能力でシステムとメモリーに関係なく中国に遅れをとったことがわかった。
韓国科学技術企画評価院（ＫＩＳＴＥＰ）が２３日に発刊した報告書「３大ゲームチェンジャー分野技術水準深層分析」によると、韓国半導体の「基礎能力」技術は、メモリー、パッケージング、電力、センシング、人工知能（ＡＩ）の５分野のうち４分野で中国に追い越され、先端パッケージングだけ同点だった。今回報告書の質問に参加した韓国国内の専門家３９人は、２０２２年にはメモリー、パッケージング、センシングの３分野の技術は韓国が中国をリードしていると評価した。しかし２年でひっくり返った。
日本のメモリーも浮上している。最近日本経済新聞は日本のメモリー半導体企業キオクシアが３３２層ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの開発に成功したと報道した。積層数でＳＫハイニックスの３２１層とサムスン電子の２８６層を上回る。
https://japanese.joins.com/JArticle/330250
NANDは東芝の発明品でしょう
믿고 있던 메모리 반도체 기술까지 중국에 따라 잡혔다.공정·양산으로 우위를 지키는 것만으로, 기초 연구나 설계 능력으로 시스템과 메모리에 관계없이 중국에 늦어를 취했던 것이 알았다.
한국 과학기술 기획 평가원(KISTEP)이 23일에 발간한 보고서 「3대게임 체인저 분야 기술 수준 심층 분석」에 의하면, 한국 반도체의 「기초 능력」기술은, 메모리, 패키징, 전력, 센싱, 인공지능(AI)의 5 분야중 4 분야에서 중국에 추월해져 첨단 패키징만 동점이었다.이번 보고서의 질문에 참가한 한국 국내의 전문가 39명은, 2022년에는 메모리, 패키징, 센싱의 3 분야의 기술은 한국이 중국을 리드하고 있다고 평가했다.그러나 2년에 뒤집혔다.
일본의 메모리도 부상하고 있다.최근 일본 경제 신문은 일본의 메모리 반도체 기업 키오크시아가 332층 NAND형 플래쉬 메모리의 개발에 성공했다고 보도했다.적층수로 SK하이 닉스의 321층과 삼성 전자의 286층을 웃돈다.
https://japanese.joins.com/JArticle/330250
NAND는 토시바의 발명품이지요