韓国人「日本のキオクシア、332層の次世代NAND型フラッシュメモリの開発に成功・・・」→「もうNANDでも負けるサムスン・・・」「韓国の半導体メーカーが競争力で追い越されている」「開発と量産は違うから」「開発は北朝鮮もできる」
日本のキオクシア「NANDフラッシュ332層技術開発」
日本のメモリー半導体企業キオクシアが332層のNAND型フラッシュの開発に成功したと日本経済新聞（日経）が20日付で報じた。
これまで公開されたNAND技術層の積層数が最も高い。
現在、キオクシアは昨年7月から第8世代技術である218層NANDを作っているが第10世代技術まで手に入れたのだ。本格的な量産時期は公開されなかった。
日経によるとキオクシアの332層NANDは以前の製品よりデータ伝送速度が33％、単位面積当たりの保存容量は59％増加、データを読む時の電力効率が10％改善された。本格的な量産に入る場合、AIデータセンターに適用される見通しだ。
今回の発表を受け業界では300層以上の超高層技術開発競争が激化するものと見られる。
NANDはチップの中の保存空間をマンションのように垂直に積み上げるが、より高い層数を積むほど高容量のチップを作ることができる。このため最近企業間の積層競争が激しい。
グローバルNAND市場はサムスン電子が36.9％で1位で、SKハイニックス（22.1％）、キオクシア（13.8％）、マイクロン（11.8％）が後に続いている。
真っ先にNAND300層を超えたのはSKハイニックスだ。SKハイニックスは昨年末から321層製品を量産しているが現在量産されているNANDの中で最も高い層数だ。今年上半期中に顧客会社に供給する予定だ。
その次にサムスン電子286層NANDがある。中国のYMTCは270層で、まだサムスンやSKハイニックスより低いが早いスピードで技術格差を縮めている。
한국인 「일본의 키오크시아, 332층의 차세대 NAND형 플래쉬 메모리의 개발에 성공···」→「 이제(벌써) NAND에서도 지는 삼성···」 「한국의 반도체 메이커가 경쟁력으로 추월해지고 있다」 「개발과 양산은 다르기 때문에」 「개발은 북한도 할 수 있다」
일본의 키오크시아 「NAND 플래시 332층 기술개발」
일본의 메모리 반도체 기업 키오크시아가 332층의 NAND형 플래시의 개발에 성공했다고 일본 경제 신문(일본경제)이 20 일자로 알렸다.
지금까지 공개된 NAND 기술층의 적층수가 가장 높다.
현재, 키오크시아는 작년 7월부터 제8세대 기술인 218층 NAND를 만들고 있지만 제10세대 기술까지 손에 넣었던 것이다.본격적인 양산 시기는 공개되지 않았다.
일본경제에 의하면 키오크시아의 332층 NAND는 이전의 제품보다 데이터 전송 속도가 33%, 단위면적 당의 보존 용량은 59%증가, 데이터를 읽을 때의 전력 효율이 10%개선되었다.본격적인 양산에 들어가는 경우, AI데이터 센터에 적용될 전망이다.
이번 발표를 접수 업계에서는 300층 이상의 초고층 기술개발 경쟁이 격화하는 것이라고 볼 수 있다.
글로벌 NAND 시장은 삼성 전자가 36.9%로 1위로, SK하이 닉스(22.1%), 키오크시아(13.8%), 마이크론(11.8%)이 후에 잇고 있다.
맨 먼저에 NAND300층을 넘은 것은 SK하이 닉스다.SK하이 닉스는 작년말부터 321층 제품을 양산하고 있지만 현재 양산되고 있는 NAND 중(안)에서 가장 높은 층수다.금년 상반기중에 고객 회사에 공급할 예정이다.
그 다음에 삼성 전자 286층 NAND가 있다.중국의 YMTC는 270층에서, 아직 삼성이나 SK하이 닉스보다 낮지만 빠른 스피드로 기술 격차를 줄이고 있다.