三星電子が業界最初で `1Tb(テラビート) TLC(Triple Level Cell) 9世代 Vネンド` 梁山を始めてメモリーチォギョックチァ技術力を再確認しました. 人工知能(AI) 時代に迎え雇用量・高性能ネンドの大切さが大きくなっただけ草稿乱も技術でネンド市場を導くという計画です. 三星電子は `ダブルスタック` 構造で具現可能な最高単数製品である 9世代 Vネンドを量産すると 23日明らかにしました. 9世代 Vネンドは現在主力である 236ただ 8世代 Vネンドの後を引き継ぐ製品で, 290段水準であることと知られました. ダブルステックはネンドプルレシを二度にかけた `チャンネルホールエッチング`で分けてくぐった後一つのチップで結合する方法を意味します. 三星電子はチャンネルホールエッチング技術を通じて一番(回)に業界最大単数をくぐる公正革新で生産性を引き上げたと説明しました. チャンネルホールエッチングはモールド層を順次に積んだ後一番(回)に電子が移動するホール(チャンネルホール)を作る技術で, 積層単数が高くなって一番(回)にたくさんくぐるほど生産效率が増加するから精巧化・高度化が要求されます. 実際にネンドの積層競争が激しくなりながら積層公正技術力の大切さも大きくなっています. Vネンドの原価競争力は最小限の公正で単数を積んで上げるのが核心で, ステック数が少ないほど通さなければならない公正数も減るから時間と費用を減らすことができて競争力が高いです. 三星電子は業界最小大きさセル(Cell), 最小モールド(Mold) 厚さを具現して `1Tb TLC 9世代 Vネンド`のビート密度(単位面積当たり保存されるビートの水)を以前世代備え約 1.5倍増加させました. ダミーチャンネルホール(Dummy Channel Hole) 除去技術でセルの平面的を減らしたし, セルの大きさを竝びながら生ずる干渉現象を制御するためにセル干渉回避技術, セル寿命延長技術を適用して製品品質と信頼性を高めました. 9世代 Vネンドは次世代ネンドプルレシインターフェースである `トグル(Toggle) 5.1`この適用されて 8世代 Vネンド備え 33% 向上した最大 3.2Gbps(秒当たりギガビット)のデータ入出力速度を具現しました. 三星電子はこれを基盤で PCIe 5.0 インターフェースを支援して高性能 SSD 市場を拡大してネンドプルレシ技術リーダーシップを強固にする計画です. 虚星回三星電子メモリー事業部フラッシュ(Flash)開発室長(副社長)は “ネンドプルレシ製品の世代が鎭火するほど雇用量・高性能製品に対する顧客のニーズ(要求)が高くなっていて極限の技術革新を通じて生産性と製品競争力を高めた”と “9世代 Vネンドを通じて AI 時代に対応する超高速, 草稿用量 SSD 市場を善導して行くこと”と言いました.
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삼성전자가 업계 최초로 `1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드` 양산을 시작하며 메모리 초격차 기술력을 재확인했습니다. 인공지능(AI) 시대를 맞아 고용량·고성능 낸드의 중요성이 커진 만큼 초고난도 기술로 낸드 시장을 이끈다는 계획입니다. 삼성전자는 `더블 스택` 구조로 구현 가능한 최고 단수 제품인 9세대 V낸드를 양산한다고 23일 밝혔습니다. 9세대 V낸드는 현재 주력인 236단 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 제품으로, 290단 수준인 것으로 알려졌습니다. 더블 스택은 낸드플래시를 두 번에 걸친 `채널 홀 에칭`으로 나눠 뚫은 뒤 한 개의 칩으로 결합하는 방법을 뜻합니다. 삼성전자는 채널 홀 에칭 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신으로 생산성을 끌어올렸다고 설명했습니다. 채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 쌓은 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술로, 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을수록 생산 효율이 증가하기 때문에 정교화·고도화가 요구됩니다. 실제로 낸드의 적층 경쟁이 치열해지면서 적층 공정 기술력의 중요성도 커지고 있습니다. V낸드의 원가 경쟁력은 최소한의 공정으로 단수를 쌓아 올리는 것이 핵심으로, 스택 수가 적을수록 거쳐야 하는 공정 수도 줄기 때문에 시간과 비용을 줄일 수 있어 경쟁력이 높습니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 `1Tb TLC 9세대 V낸드`의 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트의 수)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며, 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였습니다. 9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 `토글(Toggle) 5.1`이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps(초당 기가비트)의 데이터 입출력 속도를 구현했습니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획입니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시(Flash)개발실장(부사장)은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈(요구)가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다.