韓国人「もう日本は必要ないですね。半導体微細工程限界突破新素材の開発」 | |
半導体微細工程限界突破新素材の開発
ユニストのシン・ヒョンソク教授ら共同研究／中国への屈起・日本輸出規制克服に期待
半導体チップの中の素子をさらに小さくし、チップの作動速度を画期的に高める技術が開発された。
蔚山科学技術院（UNIST）は24日、自然科学部の申鉉錫（シン・ヒョンソク）教授チームがサムスン電子総合技術院の申鉉珍（シン・ヒョンジン）専門研究員チーム、基礎科学研究院（IBS）などと国際共同研究を行い、半導体素子をより細かくできる「超低誘電率絶縁体」を開発したと発表した
ナノメートル単位の半導体工程では、素材が小さくなるほど内部の電気干渉が激しくなり情報処理速度を落とす。 このため、誘電率の低い新素材を開発し、電気干渉を最小化することが、半導体限界克服の核心として浮上している。 誘電率が低ければ電気的干渉が減るため、半導体素子から金属配線の間隔を減らすことができる。
研究チームは既存の絶縁体より誘電率が30％以上低い「非晶質窒化ホウ素」素材を合成した。 現在、半導体工程で使われている絶縁体は、多孔性有機ケイ酸塩（p−SiCOH）で、誘電率は2.5レベルだが、新たに開発された非晶質窒化ホウ素の誘電率は1.78だ。 技術的難題とされた誘電率2.5以下の新素材を発見したのだ。
これまでは誘電率を下げるため、素材の中に微細な空気穴を追加することで強度が弱くなる問題があったが、非晶質窒化ホウ素は物質自体の誘電率が低く、空気穴を入れなくても高い機械的強度を維持することができる。
UNISTの（シン・ヒョンソク教授は、「この物質が商用化されれば、中国の半導体屈起や日本の輸出規制など、半導体産業に降りかかった危機を乗り切る上で大きく役立つだろう」とし、「半導体の超格差戦略を続ける核心素材技術だ」と説明した。
今回の研究成果は世界最高権威の学術誌「ネイチャー」25日付けで掲載された。
훅화 수소의 고순도에 의존하는 것을 만들어 버리는
유니스트의 신·현석 교수들 공동 연구/중국에의 굴 오코시·일본 수출규제 극복에 기대
반도체 팁안의 소자를 한층 더 작게 해, 팁의 작동 속도를 획기적으로 높이는 기술이 개발되었다.
울산 과학기술원(UNIST)은 24일, 자연과학부의 신현 주석(신·현석) 교수팀이 삼성 전자 종합 기술원의 신현진(신·형 진) 전문 연구원 팀, 기초과학 연구원(IBS)등과 국제 공동 연구를 실시해, 반도체소자를 보다 세세하게 할 수 있는 「초저유전율 절연체」를 개발했다고 발표했다
나노미터 단위의 반도체 공정에서는, 소재가 작아질수록 내부의 전기 간섭이 격렬해져 정보처리 속도를 떨어뜨린다. 이 때문에, 유전율의 낮은 신소재를 개발해, 전기 간섭을 최소화하는 것이, 반도체 한계 극복의 핵심으로서 부상하고 있다. 유전율이 낮으면 전기적 간섭이 줄어 들기 위해, 반도체소자로부터 금속 배선의 간격을 줄일 수 있다.
연구팀은 기존의 절연체보다 유전율이 30%이상 낮은 「비정질 질화 붕소」소재를 합성했다. 현재, 반도체 공정으로 사용되고 있는 절연체는, 다공성 유기 규산소금(p－SiCOH)으로, 유전율은 2.5 레벨이지만, 새롭게 개발된 비정질 질화 붕소의 유전율은 1.78(이)다. 기술적 난제로 여겨진 유전율 2.5 이하의 신소재를 발견했던 것이다.
지금까지는 유전율을 내리기 위해, 소재안에 미세한 공기구멍을 추가하는 것으로 강도가 약해지는 문제가 있었지만, 비정질 질화 붕소는 물질 자체의 유전율이 낮고, 공기구멍을 들어갈 수 없어도 높은 기계적 강도를 유지할 수 있다.
UNIST의(신·현석 교수는, 「이 물질이 상용화 되면, 중국의 반도체굴기나 일본의 수출규제 등, 반도체 산업에 닥친 위기를 극복하는데 있어서 크게 도움이 될 것이다」라고 해, 「반도체의 초격차 전략을 계속하는 핵심 소재 기술이다」라고 설명했다.
이번 연구 성과는 세계 최고 권위의 학술잡지 「네이쳐」25일부로 게재되었다.
한국인 「 이제(벌써) 일본은 필요없네요.반도체 미세 공정 한계 돌파 신소재의 개발」 | |
반도체 미세 공정 한계 돌파 신소재의 개발
유니스트의 신·현석 교수들 공동 연구/중국에의 굴 오코시·일본 수출규제 극복에 기대
반도체 팁안의 소자를 한층 더 작게 해, 팁의 작동 속도를 획기적으로 높이는 기술이 개발되었다.
울산 과학기술원(UNIST)은 24일, 자연과학부의 신현 주석(신·현석) 교수팀이 삼성 전자 종합 기술원의 신현진(신·형 진) 전문 연구원 팀, 기초과학 연구원(IBS)등과 국제 공동 연구를 실시해, 반도체소자를 보다 세세하게 할 수 있는 「초저유전율 절연체」를 개발했다고 발표했다
나노미터 단위의 반도체 공정에서는, 소재가 작아질수록 내부의 전기 간섭이 격렬해져 정보처리 속도를 떨어뜨린다. 이 때문에, 유전율의 낮은 신소재를 개발해, 전기 간섭을 최소화하는 것이, 반도체 한계 극복의 핵심으로서 부상하고 있다. 유전율이 낮으면 전기적 간섭이 줄어 들기 위해, 반도체소자로부터 금속 배선의 간격을 줄일 수 있다.
연구팀은 기존의 절연체보다 유전율이 30%이상 낮은 「비정질 질화 붕소」소재를 합성했다. 현재, 반도체 공정으로 사용되고 있는 절연체는, 다공성 유기 규산소금(p－SiCOH)으로, 유전율은 2.5 레벨이지만, 새롭게 개발된 비정질 질화 붕소의 유전율은 1.78(이)다. 기술적 난제로 여겨진 유전율 2.5 이하의 신소재를 발견했던 것이다.
지금까지는 유전율을 내리기 위해, 소재안에 미세한 공기구멍을 추가하는 것으로 강도가 약해지는 문제가 있었지만, 비정질 질화 붕소는 물질 자체의 유전율이 낮고, 공기구멍을 들어갈 수 없어도 높은 기계적 강도를 유지할 수 있다.
UNIST의(신·현석 교수는, 「이 물질이 상용화 되면, 중국의 반도체굴기나 일본의 수출규제 등, 반도체 산업에 닥친 위기를 극복하는데 있어서 크게 도움이 될 것이다」라고 해, 「반도체의 초격차 전략을 계속하는 핵심 소재 기술이다」라고 설명했다.
이번 연구 성과는 세계 최고 권위의 학술잡지 「네이쳐」25일부로 게재되었다.