大元は、このスレッド
「Samsungに7nmの箇所はどこにもなかった」
/jp/board/exc_board_9/view/id/2920268/page/6
これに手持ちのネタをブレンド(^^b
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以下引用開始(読み飛ばし可)
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サムスン、半導体工程に8月中旬から韓国製フッ化水素投入
https://japanese.joins.com/article/253/257253.html
サムスン電子がDRAMやNAND型フラッシュなどメモリー工程に日本製フッ化水素の代替品を投じ始めた。
日本政府が7月4日にフッ化水素、フォトレジスト、フッ化ポリイミドの先端素材3品目に対する対韓輸出規制に出てから1カ月半ぶりに代替材の投入に出たもの。 このようにサムスン電子やSKハイニックスで日本製フッ化水素の代替作業が予想より早く進み、年末を前後して完全に代替作業を完了できるだろうという見通しが出ている。
3日の半導体業界によると、サムスン電子は韓国のソルブレインとENFテクノロジーが製造したフッ化水素の納品を受け先月中旬から一部工程に投じ始めた。
2つの会社は中国製の無水フッ化水素酸を輸入して日本から輸入していた純度99.999%のフッ化水素の液状製品を作るのに成功した。
ただ、国産フッ化水素を半導体生産のすべての工程ラインに投じる段階ではない。 サムスン電子関係者は「韓国企業が生産したフッ化水素の試作品を敏感度が低い工程から順次投じており、敏感度が高い工程に広めていく方針」と説明した。
半導体の工程は500種類ほどで構成されており、このうちフッ化水素が必要な工程は50工程前後だ。 サムスン電子はこのうち1~2工程から日本製に代わり国産製品を使っているという。
SKハイニックスもやはり韓国企業が生産したフッ化水素を近く試運転作業に投じる計画だ。
今年に入り2度減産に入ったSKハイニックスは、日本発の素材不足では相対的に余裕がある方だ。 SKハイニックスは中国・無錫にある半導体生産ラインでは中国製フッ化水素で日本製の代替作業を完全に終えたという。
これとともにサムスン電子とSKハイニックス内部の素材開発担当エンジニアは国産フッ化水素試作品に対する成分分析を進めている。 韓国企業が作ったフッ化水素を半導体ラインに合わせて素材成分などを調整する作業だ。 素材企業とサムスン電子、SKハイニックスが一種の「共同開発」をする過程で、これまで使っていた日本のステラケミファと森田化学工業の製品と比較して成分構造で大きな差がなければ半導体工程に全面的に投じた時にも製品欠陥が発生しないためだ。
これに加えて韓国企業のソルブレインが今月末に予定通りに忠清南道の公州工場増設作業を完了する場合、国産フッ化水素の量産規模もさらに大きくなる見通しだ。 ソルブレインとENFフテクノロジーはそれぞれの日本のステラケミファ、森田化学工業から輸入したフッ化水素を精製した後、エッチング液形態でサムスン電子に半導体工程用素材として納品してきた。これら韓国企業は日本の輸出規制が始まってからフッ化水素の輸入先を台湾と中国に変えた。
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以上引用終了
サムスン電子がDRAMやNAND型フラッシュなどメモリー工程に日本製フッ化水素の代替品を投じ始めた。
(中略)
このようにサムスン電子やSKハイニックスで日本製フッ化水素の代替作業が予想より早く進み、年末を前後して完全に代替作業を完了できるだろうという見通しが出ている。
記事そのものを、額面通りに取るならば、SK/サムスン共々、中国製、そして自国製造のフッ化水素への全面切り替えが、早ければ今年中に終わるらしい。
よかったじゃないか、韓国w
フッ化水素について、
手当てする目処が立った、ということは喜ばしい限りw
(ただし中国に今度は生死を預けることになりますがw)
日本よりもかなり純度は低いが、それなりに半導体製品の製造は出来そうだ、ということでよかったよかった。
韓国への輸出が出来なくなった分については、マイクロンが広島に作った工場の消費分に回せばいいわけで、双方Win-Winといえるでしょう。
ですが、
ここ最近の製造手法は、
韓国にとって、
嬉しくない方向に
流れているわけで。
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最前、インスピレーションをいただいたスレッド。
そこで引用していた記事。
「7nmの半導体」に7nmの箇所はどこにもなかった
https://jbpress.ismedia.jp/articles/-/57517
以下はそこからの引用。
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(前略)
しかし、2028年以降は微細化が困難になる可能性がある。それでもムーアの法則が止らないのは、NANDフラッシュが3次元化したように、トランジスタが3次元化することにより、集積度を上げていくからである(図4)。詳しい説明は省くが、GAA(Gate All Around)、CFET(Complementary FET)、Complex Stacked CMOSなどがその候補だ。
図4 3次元化するトランジスタ構造
さらに、TSMCは、チップを3次元に多数積層することにより、集積度を上げる手段をとり始めた。
図5は、今年(2019年)6月に京都で開催された半導体の国際学会VLSIシンポジウムでTSMCが発表した資料だが、会場は大爆笑に包まれた。たとえ微細化が止まっても、半導体の未来は明るい!
図5(w)
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以上引用終了
既に 「積層プロセス」 を経て作られている製品はあります。
下の引用記事中にもあるTSMC、そして東芝は「積層化プロセス」を経て、実装面積に対する記憶量を大幅にアップしたメモリチップのテスト製造までこぎ着けている。 サムスンもまた同様。 状況としては待ったなし。
ところで、この 「積層プロセス」 が、今後サムスンやSKハイニクスにとって問題になる可能性があるのです。
これを理解するための、簡単な算数の問題。
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問題:
「成功率が90%の加工手順」 を2回繰り返して作られる部品の、「良品率」 は何パーセントですか?
答え:
0.9x0.9 = 0.81
81パーセント。
「成功率が90パーセント」 の精度では、製造工程で2回の繰り返しが必要な場合、 「100個製造しても良品は81個」しか作れなくなる。
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既に勘のいい人なら気がついたはず。
「積層プロセス」 とは、 既存の製造技術の応用。 「ほぼ同じ手順の既存の工程」を繰り返し、回路そのものを3次元に積み上げて作る加工プロセスのことです。
無茶な表現をするなら 「3Dプリンター」 の電気回路版とでもいうべきもの。
ということは、 「何度もほぼ同じ手順が繰り返される」 のですから、加工1回あたりの成功率が高くないと、「良品が作られる確率」 は一気に小さくなる、
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積層プロセスにおいて、同一の条件下で、同一の機械を使って製造するのであれば、「良品率」を決定する大きな要素は「原材料の品質」 です。
使われるフォトレジスト、エッチングに用いられるガス、プロセスの随所で何度も入る洗浄処理に使われるフッ化水素といった、 「良品率を決定する要因」 を徹底的に研究し、問題を解決する努力をしていかないと、積層プロセスを経て作られた製品の 「良品率」は 上がりません。
とすれば。 サムスンやSKハイニクスが導入しようとしている 「中国製や、韓国製のフッ化水素」 は、どうなのか?
これは、日本から輸入していたフッ化水素と較べ、良品率が上がる方向に動くのか? それとも良品率が悪化する方向に動くのか?
答えは 「悪化する方向に動く」 です。
「不純物が多いものを使った方が、良品率が上がる」 ということは、あり得ません。
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目先のフッ化水素不足を解決するためだけに、自国産や中国産の「純度が充分に高いとは言えない」素材を使うのは、問題ありません。 中国製造分 (一部中国産のフッ化水素を使用) でも、70%程度の良品率は確保できています。
ただし
この先にやってくる
「積層化」で
集積密度を上げる手法が
一般化した時は、
どうか?
間違いなく「低純度のフッ化水素」はネガティブな要素になります。
ということは、「プロセスルールを現状のままにして、積層化プロセスに移行するのは、無理。
考えられるシナリオは、とりあえず3つ。
#1:プロセスルールそのものを数段戻し、低品質の生産材でも積層化プロセスに対応できるようにする。
(この場合、「同じ容量」だと他よりダイのサイズが大きくなり、1枚のウェハーから作れる製品は少なくなる。 しかもその製品の消費電力は大きくなる)
#2:積層化プロセスを断念し、二次元方向でサイズを大きくしていく。
(この場合実装する側のメーカーが嫌がるので、安く買いたたかれる可能性が高い)
#3:日本政府や日本のメーカーに土下座して、輸出の再開を懇願する。
(一番あり得ないシナリオ。 しかも 「過去の違法再輸出」 問題の解決も要求されるのでハードルは高い)
お手軽に予想したどのシナリオになるのか?
まぁ、 「緩いプロセスルールを採用した製造機械」 など、陳腐化の最先端に位置するもの。
日本のメーカーが敢えて作る類のものではありません。
加えて。
シリコンチップの製造に使われる、ダイであるシリコンウェハーは大きくなる方向に変化しています。
これに対応するためには最先端の製造機械であることが求められます。
ということは、生産材だけではなく、「製造機械」においても、韓国の 「日本離れ」 は嫌でも始まるんじゃないかな、という予感はします。
もっとも、「性能において日本企業の製品に匹敵する」 製造機械を作っている、サービスまでをも含めて、代わりになる企業があるかと言えば、無いんですけどねw
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なんつーかね。
日本の企業は無駄にフッ化水素の 「純度」 を高くしているわけではないんですよ。
生産する場のニーズに合わせ、より多くの 「良品」 を作るための 「土台」 を、より堅牢にするために努力を重ねている。
その 「堅牢な土台」 の上だからこそ、より高度な技術を振るう事が出来る。
そしてその技術が、より「高度」な土台を求め、それに応じる形で、他の技術も進展する。
日本人の 「技術」 に対する向き合い方は、他の国の価値観や考え方とは全く違う。
韓国の企業は、日本人の 「神が設定した限界すら超えようとする努力」 を、蚕食していただけ。
もっとも、今回の 「戦略物資に対する管理強化」 と、 「韓国人の尊大な物言いや行動」 で、蚕食する機会すら失われることになりましたがw
「半導体製品の製造」に関わるジャンルでは、
生産材から製造機械まで、あらゆる分野で
「韓国が、日本の顧客リストから外れる」 事があっても、
日本が困ることはなさそうです。
오모토는, 이 스렛드
「Samsung에 7 nm의 개소는 어디에도 없었다」
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이것에 소지의 재료를 브랜드(^^b
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이하 인용 개시(읽어 날려 가능)
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삼성, 반도체 공정에 8월 중순부터 한국제 훅화 수소 투입
https://japanese.joins.com/article/253/257253.html
삼성 전자가 DRAM나 NAND형 플래시 등 메모리 공정에 일본제 훅화 수소의 대체품을 던지기 시작했다.
일본 정부가 7월 4일에 훅화 수소, 포토레지스트(photoresist), 훅화 폴리이미드의 첨단 소재 3품목에 대한 대한수출규제에 나오고 나서 1개월반만에 대체재의 투입하러 나온 것. 이와 같이 삼성 전자나 SK하이 닉스에서 일본제 훅화 수소의 대체 작업이 예상보다 빨리 진행되어, 연말을 전후 해 완전하게 대체 작업을 완료할 수 있을 것이라고 할 전망이 나와 있다.
3일의 반도체 업계에 의하면, 삼성 전자는 한국의 솔 브레인과 ENF 테크놀로지가 제조한 훅화 수소의 납품을 접수 지난 달 중순부터 일부 공정에 던지기 시작했다.
단지, 국산 훅화 수소를 반도체 생산의 모든 공정 라인에 던질 단계는 아니다. 삼성 전자 관계자는 「한국 기업이 생산한 훅화 수소의 시작품을 민감도가 낮은 공정으로부터 차례차례 던지고 있어 민감도가 높은 공정에 넓혀 갈 방침」이라고 설명했다.
반도체의 공정은 500 종류 정도로 구성되어 있어 이 중 훅화 수소가 필요한 공정은 50 공정 전후다. 삼성 전자는 이 중 1~2 공정으로부터 일본제에 대신해 국산 제품을 사용하고 있다고 한다.
SK하이 닉스도 역시 한국 기업이 생산한 훅화 수소를 근처 시운전 작업에 던질 계획이다.
금년에 들어와 2도 감산에 들어간 SK하이 닉스는, 일본발의 소재 부족한 것은 상대적으로 여유가 있다 분이다. SK하이 닉스는 중국·이시에 있는 반도체 생산 라인에서는 중국제 훅화 수소로 일본제의 대체 작업을 완전하게 끝냈다고 한다.
이것과 함께 삼성 전자와 SK하이 닉스 내부의 소재 개발 담당 엔지니어는 국산 훅화 수소 시작품에 대한 성분 분석을 진행시키고 있다. 한국 기업이 만든 훅화 수소를 반도체 라인에 맞추어 소재 성분등을 조정하는 작업이다. 소재 기업과 삼성 전자, SK하이 닉스가 일종의 「공동 개발」을 하는 과정에서, 지금까지 사용하고 있던 일본의 스테라케미파와 모리타화학공업의 제품과 비교해 성분 구조로 큰 차이가 없으면 반도체 공정에 전면적으로 던졌을 때에도 제품 결함이 발생하지 않기 때문이다.
이것에 가세해 한국 기업의 솔 브레인이 이달 말에 예정 대로에 충청남도의 공주 공장 증설 작업을 완료하는 경우, 국산 훅화 수소의 양산 규모도 한층 더 커질 전망이다. 솔 브레인과 ENF 후테크노로지는 각각의 일본의 스테라케미파, 모리타화학공업으로부터 수입한 훅화 수소를 정제 한 후, 에칭액형태로 삼성 전자에 반도체 공정용 소재로서 납품해 왔다.이것들 한국 기업은 일본의 수출규제가 시작되고 나서 훅화 수소의 수입처를 대만과 중국으로 바꾸었다.
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이상 인용 종료
(중략)
이와 같이 삼성 전자나 SK하이 닉스에서 일본제 훅화 수소의 대체 작업이 예상보다 빨리 진행되어, 연말을 전후 해 완전하게 대체 작업을 완료할 수 있을 것이라고 할 전망이 나와 있다.
기사 그 자체를, 액면대로에 취한다면, SK/삼성모두들, 중국제, 그리고 자국 제조의 훅화 수소에의 전면 변환이, 빠르면 금년중에 끝나는 것 같다.
좋았던 것이 아닌가, 한국 w
훅화 수소에 대해서,
치료하는 목표가 섰다는 (일)것은 기쁠 따름 w
(다만 중국에 이번은 생사를 맡기게 됩니다만 w)
일본보다 꽤 순도는 낮지만, 그 나름대로 반도체 제품의 제조는 할 수 있을 것 같다, 라고 하는 것으로 좋았어요 샀다.
한국에의 수출을 할 수 없게 된 만큼에 대해서는, 마이크론이 히로시마에 만든 공장의 소비분에 돌리면 변명으로, 쌍방 Win-Win라고 할 수 있겠지요.
그렇지만,
여기 최근의 제조 수법은,
한국에 있어서,
기쁘지 않을 방향으로
흐르고 있는 것으로.
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맨 앞, 인스피레이션을 받은 스렛드.
거기서 인용하고 있던 기사.
「7 nm의 반도체」에 7 nm의 개소는 어디에도 없었다
https://jbpress.ismedia.jp/articles/-/57517
이하는 거기로부터의 인용.
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(전략)
그러나, 2028년 이후는 미세화가 곤란하게 될 가능성이 있다.그런데도 무어의 법칙이 지등 없는 것은, NAND 플래시가 3 차원화한 것처럼, 트랜지스터가 3 차원화하는 것으로, 집적도를 올려 가기 때문이다(그림 4).자세한 설명은 생략하지만, GAA(Gate All Around), CFET(Complementary FET), Complex Stacked CMOS등이 그 후보다.
그림 4 3 차원화하는 트랜지스터 구조
게다가 TSMC는, 팁을 3 차원에 다수 적층하는 것으로써, 집적도를 올리는 수단을 취하기 시작했다.
그림 5는, 금년(2019년) 6월에 쿄토에서 개최된 반도체의 국제 학회 VLSI 심포지엄에서 TSMC가 발표한 자료이지만, 회장은 대폭소에 싸였다.비록 미세화가 멈추어도, 반도체의 미래는 밝다!
그림 5(w)
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이상 인용 종료
이미 「적층 프로세스」를 거쳐 만들어져 있는 제품은 있어요.
아래의 인용 기사중에도 있다 TSMC, 그리고 토시바는 「적층화 프로세스」를 거치고, 실장 면적에 대한 기억량을 큰폭으로 압메모리팁의 테스트 제조까지 도달하고 있다. 삼성도 또 같이. 상황으로서는 기다렸군 해.
그런데, 이 「적층 프로세스」가, 향후 삼성이나 SK하이니크스에 있어서 문제가 될 가능성이 있다의입니다.
이것을 이해하기 위한 , 간단한 산수의 문제.
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문제:
「성공율이 90%의 가공 순서」를 2회 반복해 만들어지는 부품의, 「우량품율」은 몇 퍼센트입니까?
대답:
0.9x0.9 = 0.81
「성공율이 90퍼센트」의 정도에서는, 제조 공정으로 2회의 반복이 필요한 경우, 「100개 제조해도 우량품은 81개」 밖에 만들 수 없게 된다.
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이미 감의 좋은 사람이라면 깨달았을 것.
「적층 프로세스」란, 기존의 제조 기술의 응용. 「거의 같은 순서의 기존의 공정」을 반복해, 회로 그 자체를 3 차원에 쌓아 올려 만드는 가공 프로세스입니다.
터무니 없는 표현을 한다면 「3 D프린터」의 전기 회로판이라고도 말해야 할 것.
그 말은, 「몇번이나 거의 같은 순서가 반복해진다」 것이기 때문에, 가공 1회당의 성공율이 높지 않으면 「우량품이 만들어지는 확률」은 단번에 작아지는,
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사용되는 포토레지스트(photoresist), 에칭에 이용되는 가스, 프로세스의 여기저기에서 몇번이나 들어가는 세정 처리에 사용되는 훅화 수소라고 한, 「우량품율을 결정하는 요인」을 철저하게 연구해, 문제를 해결하는 노력을 해 나가지 않으면 적층 프로세스를 거쳐 만들어진 제품의 「우량품율」은 오르지 않습니다.
그렇다면. 삼성이나 SK하이니크스가 도입하려고 하고 있다 「중국제나, 한국제의 훅화 수소」는, 어떤가?
이것은, 일본으로부터 수입하고 있던 훅화 수소와 비교, 우량품율이 오를 방향으로 움직이는지? 그렇지 않으면 우량품율이 악화될 방향으로 움직이는지?
대답은 「악화될 방향으로 움직인다」입니다.
「불순물이 많은 것을 사용하는 것이, 우량품율이 오른다」라고 하는 것은, 있을 수 없습니다.
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눈앞의 훅화 수소 부족을 해결하기 위해(때문에)인 만큼, 자국산이나 중국산의 「순도가 충분히 높다고는 말할 수 없다」소재를 사용하는 것은, 문제 없습니다. 중국 제조분 (일부 중국산의 훅화 수소를 사용)에서도, 70%정도의 우량품율은 확보 되어 있습니다.
다만
이 먼저 온다
「적층화」로
집적 밀도를 올리는 수법이
일반화했을 때는,
어떨까?
틀림없이 「저순도의 훅화 수소」는 네가티브인 요소가 됩니다.
그 말은, 「프로세스 룰을 현상대로 하고, 적층화 프로세스로 이행하는 것은, 무리.
생각할 수 있는 시나리오는 우선 3.
(이 경우, 「같은 용량」이라면 외보다 다이의 사이즈가 커져, 1매의 wafer로부터 만들 수 있는 제품은 적게 된다. 게다가 그 제품의 소비 전력은 커진다)
#2:적층화 프로세스를 단념해, 이차원 방향으로 사이즈를 크게 해 나간다.
(이 경우 실장하는 측의 메이커가 싫어하므로, 싸게 사 얻어맞을 가능성이 높다)
#3:일본 정부나 일본의 메이커에 땅에 엎드려 조아림하고, 수출의 재개를 간절히 원한다.
(제일 있을 수 없는 시나리오. 게다가 「과거의 위법 재수출」문제의 해결도 요구되므로 허들은 높다)
간단에 예상한 어느 시나리오가 되는지?
아무튼, 「느슨한 프로세스 룰을 채용한 제조 기계」 등, 진부화의 최첨단에 위치하는 것.
일본의 메이커가 감히 만드는 종류의 것이 아닙니다.
실리콘 칩의 제조에 사용되는, 다이인 실리콘 wafer는 커질 방향으로 변화하고 있습니다.
이것에 대응하기 위해서는 최첨단의 제조 기계인 것이 구할 수 있습니다.
그 말은, 생산재 만이 아니고, 「제조 기계」에 대해도, 한국의 「일본 떨어져」는 싫어도 시작되지 않을까, 라고 하는 예감은 합니다.
무엇보다, 「성능에 대해 일본 기업의 제품에 필적한다」제조 기계를 만들고 있는, 서비스까지도 포함하고, 대신 되는 기업이 있다일까하고 말하면, 없는데요 w
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몇 개-돈.
일본의 기업은 쓸데 없게 훅화 수소의 「순도」를 높게 하고 있는 것은 아니어요.
생산하는 장소의 요구에 맞추어 보다 많은 「우량품」을 만들기 위한 「토대」를, 보다 견뢰하게 하기 위해서 노력을 거듭하고 있다.
그 「견뢰한 토대」 위이기 때문에 더욱, 보다 고도의 기술을 털 수가 있다.
그리고 그 기술이, 보다 「고도」인 토대를 요구해 거기에 응하는 형태로, 다른 기술도 진전한다.
일본인의 「기술」에 대한 마주보는 방법은, 다른 나라의 가치관이나 생각과는 완전히 다르다.
한국의 기업은, 일본인의 「신이 설정한 한계조차 넘으려고 하는 노력」을, 잠식해 주셔라.
무엇보다, 이번 「전략 물자에 대한 관리 강화」라고, 「한국인의 거만한 말이나 행동」으로, 잠식할 기회조차 없어지게 되었습니다만 w
「반도체 제품의 제조」에 관련되는 장르에서는,
생산재로부터 제조 기계까지, 모든 분야에서
「한국이, 일본의 고객 리스트로부터 빗나간다」일이 있어도,
일본이 곤란한 것은 없을 것 같습니다.