토시바, 19nm 프로세스로 세계 최대 용량 3 bit/셀 NAND 형 플래쉬 메모리

japan.internet.com 2월 23일 (목) 18시 1 분배신
토시바는 2012년 2월 23일, 19nm 프로세스로 세계 최대 용량(동사 조사) 128 Gbit(16 GB)를 실현한 3 bit/셀의 NAND 형 플래쉬 메모리를 개발해, 2월 22일(현지시간)에 미국에서 개최중의 반도체 국제 학회「ISSCC」로, SanDisk 와 공동 발표했다.이 제품은 2월부터 양산 출하를 개시하고 있다.

이번 개발한 NAND 형 플래쉬 메모리는, 토시바 독자적인 고속 기록 회로 방식과 셀간에 공동을 형성해, 셀끼리의 간섭을 억제하는 기술, 에어 갭 구조에 의해, 3 bit/셀 제품으로서는 세계 최고 속도(동사 조사)의 18 MB/초의 기입 속도를 실현하는 것과 동시에, 128Gbit 의 NAND 형 플래쉬 메모리로서는 세계 최소(동사 조사)의 170평방 밀리미터의 팁 사이즈가 되었다.

토시바의 고속 회로 기록 회로 방식이란, 메모리 셀에 데이터를 3 단계에서 쓸 때, 2 단계눈으로 모든 비트를 대략적으로 써 끝내 3 단계눈으로 미수정만을 실시해, 써 끝난 메모리 셀에 영향을 미 현상을 약 5％로 하는 기술.또, 메모리 셀 제어 회로를 한쪽 편에 대어 배치하는 등의 회로 구성으로, 주변 회로군의 배치 면적을 약 20％줄이는 것에 성공했다.

http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20120223-00000014-inet-sci